Графит покрытия TaC создается путем покрытия поверхности графитовой подложки высокой чистоты тонким слоем карбида тантала с помощью запатентованного процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD).
Карбид тантала (TaC) – это соединение, состоящее из тантала и углерода. Он обладает металлической электропроводностью и исключительно высокой температурой плавления, что делает его огнеупорным керамическим материалом, известным своей прочностью, твердостью, теплостойкостью и износостойкостью. Пиковая температура плавления карбидов тантала составляет около 3880°C в зависимости от чистоты и имеет одну из самых высоких температур плавления среди бинарных соединений. Это делает его привлекательной альтернативой, когда требования к более высоким температурам превышают возможности производительности, используемые в эпитаксиальных процессах соединения полупроводников, таких как MOCVD и LPE.
Данные о материале покрытия Semicorex TaC
Проекты |
Параметры |
Плотность |
14,3 (г/см³) |
Коэффициент излучения |
0.3 |
КТР (×10-6/К) |
6.3 |
Твердость (НК) |
2000 |
Сопротивление (Ом-см) |
1×10-5 |
Термическая стабильность |
<2500℃ |
Изменение размеров графита |
-10~-20ум (справочное значение) |
Толщина покрытия |
Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм) |
|
|
Вышеуказанные значения являются типичными. |
|
Вафельный лоток с покрытием Semicorex TaC должен быть спроектирован таким образом, чтобы противостоять вызовам экстремальные условия внутри реакционной камеры, включая высокие температуры и химически активные среды.**
Читать далееОтправить запросПластина с покрытием Semicorex TaC выделяется как высокопроизводительный компонент для сложных процессов эпитаксиального выращивания и других условий производства полупроводников. Благодаря ряду превосходных свойств она может в конечном итоге повысить производительность и экономическую эффективность современных процессов производства полупроводников.**
Читать далееОтправить запросSemicorex LPE SiC-Epi Halfmoon — незаменимый актив в мире эпитаксии, обеспечивающий надежное решение проблем, связанных с высокими температурами, активными газами и строгими требованиями к чистоте.**
Читать далееОтправить запросПокрытие Semicorex CVD TaC становится важной технологией, позволяющей работать в сложных условиях эпитактических реакторов, характеризующихся высокими температурами, химически активными газами и строгими требованиями к чистоте, что требует использования прочных материалов для обеспечения последовательного роста кристаллов и предотвращения нежелательных реакций.**
Читать далееОтправить запросНаправляющее кольцо Semicorex TaC с покрытием является важной частью оборудования для химического осаждения металлоорганических соединений (MOCVD), обеспечивая точную и стабильную доставку газов-прекурсоров во время процесса эпитаксиального роста. Направляющее кольцо с покрытием TaC обладает рядом свойств, которые делают его идеальным для выдерживания экстремальных условий в камере реактора MOCVD.**
Читать далееОтправить запросЗажим для пластин Semicorex TaC Coating является вершиной инноваций в процессе эпитаксии полупроводников, важнейшем этапе производства полупроводников. Благодаря нашему стремлению поставлять продукцию высочайшего качества по конкурентоспособным ценам, мы готовы стать вашим долгосрочным партнером в Китае.*
Читать далееОтправить запрос