Китай Пористый графит Производители, Поставщики, Фабрика

Большинство производителей SiC-подложек в настоящее время используют конструкцию тигля, включающую цилиндр из пористого графита для процесса горячего поля. Процесс включает размещение частиц SiC высокой чистоты между стенкой графитового тигля и цилиндром из пористого графита при одновременном углублении тигля и увеличении его диаметра. Это увеличивает площадь испарения сырья, одновременно увеличивая объем загрузки.

Новый процесс решает проблему дефектов кристаллов, возникающих из-за перекристаллизации верхней части сырья по мере роста поверхности исходного материала, что влияет на поток сублимированного материала. Кроме того, новый процесс снижает чувствительность распределения температуры по площади сырья к росту кристаллов, стабилизирует эффективность массообмена, уменьшает влияние углеродных включений на поздней стадии роста и дополнительно улучшает качество кристаллов SiC. Кроме того, в новом процессе используется метод фиксации кристаллического лотка без затравки, который не прилипает к затравочным кристаллам, тем самым устраняя тепловое расширение и облегчая снятие напряжений. Этот новый процесс оптимизирует тепловое поле и значительно повышает эффективность расширения.

Важно отметить, что качество и выход монокристаллов SiC, полученных этим новым процессом, сильно зависят от физических свойств тигельного графита и пористого графита. Однако предложение на рынке в настоящее время очень ограничено по сравнению с растущим спросом.

Основные характеристики пористого графита:

Подходящее распределение пор по размерам;

Достаточно высокая пористость;

Механический, отвечающий требованиям обработки и использования.

Semicorex предлагает высококачественную продукцию из пористого графита по индивидуальному заказу в соответствии с вашими требованиями.