Ультратонкий графит с высокой пористостью

Превосходная адгезия частиц к поверхности и отличные противопыльные характеристики: ультратонкий графит Semicorex с высокой пористостью демонстрирует исключительную адгезию частиц к поверхности, обеспечивая минимальное пылеобразование и поддержание чистой рабочей среды, что имеет решающее значение для чувствительных применений, таких как производство полупроводников.

Устойчивость к высоким температурам: ультратонкий графит с высокой пористостью выдерживает экстремальные температуры до 2500°C, что делает его пригодным для высокотемпературных процессов и сред, в которых обычные материалы не работают.

Высокая пористость до 65 %: высокая пористость пористого графита обеспечивает эффективный поток газа и жидкости, что обеспечивает лучший массоперенос и отвод тепла в различных применениях.

Ультратонкий пористый графит с превосходной обрабатываемостью: из ультратонкого графита с высокой пористостью можно изготавливать ультратонкие листы толщиной всего 1,5 мм, сохраняя при этом высокую пористость, что обеспечивает гибкость в проектировании и применении.

Обрабатываемость для сверхтонкостенных цилиндрических форм: из ультратонкого графита с высокой пористостью можно изготавливать сверхтонкостенные цилиндрические формы с толщиной стенок ≤1 мм, что обеспечивает универсальность конструкции и функциональности компонентов.

Отличные изоляционные свойства и стабильность партии: ультратонкий графит с высокой пористостью демонстрирует выдающиеся изоляционные характеристики и стабильные характеристики от партии к партии, обеспечивая надежные и воспроизводимые результаты в критически важных областях применения.

Сверхчистый пористый графитовый материал: сверхтонкий графит с высокой пористостью доступен в сверхчистых формах, обеспечивающих высокий уровень чистоты, который необходим для таких требовательных применений, как производство полупроводников.

Высокая прочность: несмотря на свою пористую природу, ультратонкий графит с высокой пористостью демонстрирует впечатляющую прочность, что делает его пригодным для изготовления конструкционных компонентов и несущих конструкций.

Применение в производстве полупроводников:

Ультратонкий графит с высокой пористостью в основном используется в полупроводниковой промышленности, особенно в новом процессе массообмена. В этом процессе используется новое тепловое поле для однопроходного массопереноса, что значительно повышает эффективность переноса и поддерживает постоянную скорость, тем самым уменьшая влияние рекристаллизации (избегая двухпроходного массопереноса) и эффективно сводя к минимуму микротрубопроводы или другие связанные с этим кристаллические дефекты. Кроме того, пористый графит помогает сбалансировать компоненты газовой фазы, изолировать следы примесей, регулировать локальную температуру и уменьшить инкапсуляцию физических частиц. Удовлетворяя требованиям удобства использования кристаллов, пористый графит позволяет существенно увеличить толщину кристаллов, что делает его ключевой технологией для решения проблемы выращивания более толстых кристаллов.