Графитовая центральная пластина Semicorex или токоприемник MOCVD представляет собой карбид кремния высокой чистоты, покрытый методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), который используется в процессе выращивания эпитаксиального слоя на пластине-чипе. Токоприемник с покрытием SiC является важной частью MOCVD, поэтому он требует превосходной термо- и химической стойкости, а также высокой термической однородности. Мы разработали специально для этого требовательного оборудования для эпитаксии.
Датчик Semicorex MOCVD 3x2’’, разработанный Semicorex, представляет собой вершину инноваций и инженерного совершенства, специально разработанный для удовлетворения сложных требований современных процессов производства полупроводников.**
Читать далееОтправить запросКольцо с покрытием Semicorex SiC является важнейшим компонентом в сложных условиях процессов эпитаксии полупроводников. Благодаря нашему твердому стремлению предоставлять продукцию высочайшего качества по конкурентоспособным ценам, мы готовы стать вашим долгосрочным партнером в Китае.*
Читать далееОтправить запросПриверженность Semicorex качеству и инновациям очевидна в сегменте SiC MOCVD. Обеспечивая надежную, эффективную и высококачественную эпитаксию SiC, она играет жизненно важную роль в расширении возможностей полупроводниковых устройств следующего поколения.**
Читать далееОтправить запросВнутренний сегмент Semicorex SiC MOCVD является важным расходным материалом для систем химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) металлорганических соединений, используемых при производстве эпитаксиальных пластин карбида кремния (SiC). Он специально разработан для того, чтобы выдерживать сложные условия эпитаксии SiC, обеспечивая оптимальную производительность процесса и высококачественные эпитаксиальные слои SiC.**
Читать далееОтправить запросSiC Wafer Susceptors Semicorex для MOCVD — это образец точности и инноваций, специально созданный для облегчения эпитаксиального осаждения полупроводниковых материалов на пластины. Превосходные свойства материала пластин позволяют им выдерживать жесткие условия эпитаксиального роста, включая высокие температуры и агрессивные среды, что делает их незаменимыми для высокоточного производства полупроводников. Мы в Semicorex занимаемся производством и поставкой высокопроизводительных кремниевых пластинчатых токоприемников для MOCVD, которые сочетают качество с экономической эффективностью.
Читать далееОтправить запросДержатели пластин Semicorex с покрытием SiC, неотъемлемая часть системы эпитаксиального выращивания, отличаются исключительной чистотой, устойчивостью к экстремальным температурам и надежными герметизирующими свойствами, служа лотком, который необходим для поддержки и нагрева полупроводниковых пластин во время процесса выращивания. критический этап осаждения эпитаксиального слоя, тем самым оптимизируя общую производительность процесса MOCVD. Мы в Semicorex занимаемся производством и поставкой высокопроизводительных держателей пластин с покрытием SiC, которые сочетают качество с экономической эффективностью.
Читать далееОтправить запрос