Графитовая центральная пластина Semicorex или токоприемник MOCVD представляет собой карбид кремния высокой чистоты, покрытый методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), который используется в процессе выращивания эпитаксиального слоя на пластине-чипе. Токоприемник с покрытием SiC является важной частью MOCVD, поэтому он требует превосходной термо- и химической стойкости, а также высокой термической однородности. Мы разработали специально для этого требовательного оборудования для эпитаксии.
Получики 6-дюймовые держатели пластин являются высокопроизводительным носителем, спроектированным для строгих требований эпитаксиального роста SIC. Выберите SemiCorex для непревзойденной чистоты материала, точной инженерии и доказанной надежности в высокотемпературных, высокодоходных процессах SIC**************
Читать далееОтправить запросДержатель пластин Semicorex MOCVD является незаменимым компонентом для эпитаксии SiC, обеспечивая превосходное управление температурным режимом, химическую стойкость и стабильность размеров. Выбирая держатель пластин Semicorex, вы повышаете производительность процессов MOCVD, что приводит к повышению качества продукции и повышению эффективности операций по производству полупроводников. *
Читать далееОтправить запросДатчик Semicorex MOCVD 3x2’’, разработанный Semicorex, представляет собой вершину инноваций и инженерного совершенства, специально разработанный для удовлетворения сложных требований современных процессов производства полупроводников.**
Читать далееОтправить запросКольцо с покрытием Semicorex SiC является важнейшим компонентом в сложных условиях процессов эпитаксии полупроводников. Благодаря нашему твердому стремлению предоставлять продукцию высочайшего качества по конкурентоспособным ценам, мы готовы стать вашим долгосрочным партнером в Китае.*
Читать далееОтправить запросПриверженность Semicorex качеству и инновациям очевидна в сегменте SiC MOCVD. Обеспечивая надежную, эффективную и высококачественную эпитаксию SiC, она играет жизненно важную роль в расширении возможностей полупроводниковых устройств следующего поколения.**
Читать далееОтправить запросВнутренний сегмент Semicorex SiC MOCVD является важным расходным материалом для систем химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) металлорганических соединений, используемых при производстве эпитаксиальных пластин карбида кремния (SiC). Он специально разработан для того, чтобы выдерживать сложные условия эпитаксии SiC, обеспечивая оптимальную производительность процесса и высококачественные эпитаксиальные слои SiC.**
Читать далееОтправить запрос