Компания Semicorex предлагает высокомощные пластины GaN-on-Si Epi с напряжением 850 В. По сравнению с другими подложками для силовых устройств HMET, Epi-подложка GaN-on-Si высокой мощности 850 В обеспечивает большие размеры и более разнообразные применения, а также может быть быстро внедрена в кремниевые чипы основных производителей. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Читать далееОтправить запросЭпитаксия кремнием является важнейшим методом в полупроводниковой промышленности, поскольку позволяет производить высококачественные кремниевые пленки с заданными свойствами для различных электронных и оптоэлектронных устройств. . Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Читать далееОтправить запросSemicorex предлагает нестандартную тонкопленочную эпитаксию HEMT (нитрид галлия) GaN на подложках Si/SiC/GaN. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Читать далееОтправить запросSemicorex предлагает специальные тонкопленочные (карбид кремния) эпитаксии SiC на подложках для разработки устройств из карбида кремния. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Читать далееОтправить запрос