Эпитаксия GaN

Эпитаксия нитрида галлия GaN представляет собой широкозонный полупроводниковый материал с превосходными электрическими и оптическими свойствами, что делает его многообещающим кандидатом для различных электронных и оптоэлектронных устройств.

Эпитаксия GaN произвела революцию в разработке устройств на основе GaN, включая силовую электронику, твердотельное освещение (СИД) и высокочастотные устройства. Возможность выращивать высококачественные эпитаксиальные слои GaN с точным контролем свойств материала значительно повысила производительность, эффективность и надежность устройств GaN, способствуя прогрессу в различных отраслях, таких как силовая электроника, телекоммуникации и бытовая электроника.