GaN-эпитаксии

Эпитаксия нитрида галлия GaN представляет собой широкозонный полупроводниковый материал с превосходными электрическими и оптическими свойствами, что делает его многообещающим кандидатом для различных электронных и оптоэлектронных устройств.

Эпитаксия GaN произвела революцию в разработке устройств на основе GaN, включая мощную электронику, твердотельное освещение (светодиоды) и высокочастотные устройства. Возможность выращивать высококачественные эпитаксиальные слои GaN с точным контролем свойств материала значительно улучшила производительность, эффективность и надежность устройств GaN, способствуя развитию в различных отраслях, таких как силовая электроника, телекоммуникации и бытовая электроника.