Технология химического осаждения из паровой фазы (CVD) SiC необходима для производства высокопроизводительной силовой электроники, обеспечивая точный эпитаксиальный рост слоев карбида кремния высокой чистоты на пластинах-подложках. Используя широкую запрещенную зону и превосходную теплопроводность S......
Читать далееРазличные сценарии применения предъявляют разные требования к характеристикам графитовых изделий, поэтому точный выбор материала является ключевым шагом в применении графитовых изделий. Выбор графитовых компонентов с характеристиками, соответствующими сценариям применения, может не только эффективно......
Читать далееТепловое поле роста монокристалла представляет собой пространственное распределение температуры внутри высокотемпературной печи во время процесса роста монокристалла, которое напрямую влияет на качество, скорость роста и скорость образования кристаллов монокристалла. Тепловое поле можно разделить на......
Читать далееПередовое производство полупроводников состоит из множества технологических этапов, включая осаждение тонких пленок, фотолитографию, травление, ионную имплантацию, химико-механическую полировку. Во время этого процесса даже незначительные дефекты процесса могут оказать пагубное влияние на производит......
Читать далееГрафитовые пластины высокой чистоты представляют собой пластинчатые углеродные материалы, изготовленные из высококачественного сырья, включая нефтяной кокс, пековый кокс или природный графит высокой чистоты, посредством ряда производственных процессов, таких как прокаливание, замешивание, формование......
Читать далее