Поскольку глобальное признание электромобилей постепенно растет, карбид кремния (SiC) столкнется с новыми возможностями роста в предстоящем десятилетии. Ожидается, что производители силовых полупроводников и операторы автомобильной промышленности будут более активно участвовать в построении цепочки ......
Читать далееПоскольку SiC является полупроводниковым материалом с широкой запрещенной зоной (WBG), более широкая разница энергий придает ему более высокие тепловые и электронные свойства по сравнению с традиционным Si. Эта функция позволяет силовым устройствам работать при более высоких температурах, частотах и......
Читать далееКарбид кремния (SiC) играет важную роль в производстве силовой электроники и высокочастотных устройств благодаря своим превосходным электрическим и термическим свойствам. Качество и уровень легирования кристаллов SiC напрямую влияют на производительность устройства, поэтому точный контроль легирован......
Читать далееВ процессе выращивания монокристаллов SiC и AlN методом физического переноса пара (PVT) жизненно важную роль играют такие компоненты, как тигель, держатель затравочного кристалла и направляющее кольцо. В процессе приготовления SiC затравочный кристалл находится в области относительно низких температ......
Читать далее