Как основной материал полупроводников третьего поколения, кремниевый карбид (SIC) играет все более важную роль в высокотехнологичных областях, таких как новые энергетические транспортные средства, фотоэлектрическое хранение энергии и 5G-связи благодаря ее превосходным физическим свойствам.
Читать далееКерамические мембраны из карбида кремния имеют характеристики высокой химической стабильности, хорошей тепловой устойчивости, сильной гидрофильности, большой поток мембраны, высокой механической прочности, концентрированного распределения по размерам пор и хорошего градиента структуры пор.
Читать далее