> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

Какие проблемы возникают при производстве SiC?

В области широкозонных полупроводниковых материалов карбид кремния (SiC) стал высоко ценимым материалом, особенно превосходным в области преобразования высокой мощности.

Что такое технология ионной имплантации полупроводников?

В производстве полупроводников ионная имплантация включает использование высокоэнергетических ускорителей для введения атомов определенных примесей, таких как мышьяк или бор, в кремниевую подложку.

Отжиг

Отжиг после ионной имплантации является ключевым этапом в производстве полупроводниковых устройств, который влияет на производительность и надежность устройства.

Выращивание кристаллов AlN методом PVT

Третье поколение широкозонных полупроводниковых материалов, включая нитрид галлия (GaN), карбид кремния (SiC) и нитрид алюминия (AlN), демонстрирует превосходные электрические, термические и акустооптические свойства. Эти материалы устраняют ограничения первого и второго поколений полупроводниковых ......

Технология селективного травления SiGe и Si

Важным шагом в изготовлении GAAFET n-типа является высокоселективное травление стопок SiGe:Si перед осаждением внутренних прокладок, созданием кремниевых нанолистов и освобождением каналов.

SiGe в производстве микросхем: профессиональный новостной репортаж

Чтобы удовлетворить требования современной полупроводниковой технологии к высокой производительности и низкому энергопотреблению, SiGe (кремний-германий) стал предпочтительным композитным материалом при производстве полупроводниковых чипов благодаря своим уникальным физическим и электрическим свойст......

<...4 5 6 7 8...31 >