В процессе изготовления пластин имеются два основных звена: одно — подготовка подложки, другое — осуществление эпитаксиального процесса. Подложка, пластина, тщательно изготовленная из полупроводникового монокристаллического материала, может быть непосредственно использована в процессе производства п......
Читать далееКремниевый материал представляет собой твердый материал с определенными полупроводниковыми электрическими свойствами и физической стабильностью, который обеспечивает поддержку подложки для последующего процесса производства интегральных схем. Это ключевой материал для кремниевых интегральных схем. Б......
Читать далееПодложка из карбида кремния представляет собой сложный полупроводниковый монокристаллический материал, состоящий из двух элементов: углерода и кремния. Он обладает характеристиками большой запрещенной зоны, высокой теплопроводности, высокой критической напряженности поля пробоя и высокой скорости др......
Читать далееВ отраслевой цепочке карбида кремния (SiC) поставщики подложек обладают значительными рычагами влияния, в первую очередь за счет распределения стоимости. Подложки SiC составляют 47% от общей стоимости, за ними следуют эпитаксиальные слои — 23%, а проектирование и производство устройств составляют ос......
Читать далееSiC MOSFET — это транзисторы, которые обеспечивают высокую плотность мощности, повышенный КПД и низкую частоту отказов при высоких температурах. Эти преимущества SiC MOSFET приносят электромобилям (EV) многочисленные преимущества, включая больший запас хода, более быструю зарядку и потенциально боле......
Читать далее