Процесс осаждения тонких пленок полупроводников является важным компонентом современной технологии микроэлектроники. Он предполагает создание сложных интегральных схем путем нанесения одного или нескольких тонких слоев материала на полупроводниковую подложку.
Читать далееКарбид кремния (SiC) — это полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, который в последние годы привлек к себе значительное внимание благодаря своим исключительным характеристикам в приложениях с высоким напряжением и высокими температурами. В этом исследовании систематически изучаются р......
Читать далее4H-SiC, как полупроводниковый материал третьего поколения, известен своей широкой запрещенной зоной, высокой теплопроводностью, а также превосходной химической и термической стабильностью, что делает его очень ценным в мощных и высокочастотных приложениях.
Читать далее