Карбид кремния (SiC) — это полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, который в последние годы привлек к себе значительное внимание благодаря своим исключительным характеристикам в приложениях с высоким напряжением и высокими температурами. В этом исследовании систематически изучаются р......
Читать далее4H-SiC, как полупроводниковый материал третьего поколения, известен своей широкой запрещенной зоной, высокой теплопроводностью, а также превосходной химической и термической стабильностью, что делает его очень ценным в мощных и высокочастотных приложениях.
Читать далее