> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

Основные этапы обработки подложки SiC

Обработка подложки 4H-SiC в основном включает в себя следующие этапы:

Ключевые параметры подложек карбида кремния (SiC)

Процесс производства карбида кремния (SiC) включает в себя подготовку подложки и эпитаксию со стороны материалов, за которыми следуют проектирование и производство чипов, упаковка устройств и, наконец, распространение на последующих рынках приложений. Среди этих этапов обработка материала подложки я......

Применение карбида кремния

Карбид кремния находит широкое применение в развивающихся и традиционных отраслях. В настоящее время мировой рынок полупроводников превысил 100 миллиардов юаней. Ожидается, что к 2025 году мировые продажи материалов для производства полупроводников достигнут 39,5 миллиардов долларов США, из которых ......

Введение в процесс ионной имплантации и отжига карбида кремния

В традиционном производстве кремниевых силовых устройств высокотемпературная диффузия и ионная имплантация являются основными методами контроля примесей, каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки. Как правило, высокотемпературная диффузия характеризуется простотой, экономичностью, изотр......

Способ получения порошка SiC

Карбид кремния (SiC) – неорганическое вещество. Количество встречающегося в природе карбида кремния очень мало. Это редкий минерал, его называют муассанит. Карбид кремния, используемый в промышленном производстве, в основном синтезируется искусственно.

Эпитаксиальные слои: основа современных полупроводниковых устройств

В полупроводниковой промышленности эпитаксиальные слои играют решающую роль, образуя особые монокристаллические тонкие пленки на подложке пластины, известные под общим названием эпитаксиальные пластины. В частности, эпитаксиальные слои карбида кремния (SiC), выращенные на проводящих подложках SiC, п......

<...10 11 12 13 14...22 >