> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

GaN и SiC: сосуществование или замена?

Стремление к повышению удельной мощности и эффективности стало основной движущей силой инноваций во многих отраслях, включая центры обработки данных, возобновляемые источники энергии, бытовую электронику, электромобили и технологии автономного вождения. В области материалов с широкой запрещенной зон......

Что такое тепловое поле?

В области выращивания монокристаллов распределение температуры внутри печи для выращивания кристаллов играет решающую роль. Это распределение температуры, обычно называемое тепловым полем, является жизненно важным фактором, влияющим на качество и характеристики выращиваемого кристалла. Тепловое поле......

Технология производства изостатического графита

Технология изостатического прессования является важнейшим процессом в производстве изостатического графита, во многом определяющим характеристики конечного продукта. Таким образом, комплексные исследования и оптимизация производства изостатического графита остаются важными направлениями в отрасли.

Ход исследований покрытий TaC на поверхностях углеродных материалов

Материалы на основе углерода, такие как графит, углеродные волокна и композиты углерод/углерод (C/C), известны своей высокой удельной прочностью, высоким удельным модулем и превосходными термическими свойствами, что делает их пригодными для широкого спектра высокотемпературных применений. . Эти мате......

Какие применения подложки из нитрида галлия (GaN)?

Нитрид галлия (GaN) — важный материал в полупроводниковой технике, известный своими исключительными электронными и оптическими свойствами. GaN, как широкозонный полупроводник, имеет энергию запрещенной зоны примерно 3,4 эВ, что делает его идеальным для мощных и высокочастотных приложений.

Технические проблемы в печах для выращивания кристаллов карбида кремния

Печи для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) являются краеугольным камнем производства пластин SiC. Имея сходство с традиционными печами для выращивания кристаллов кремния, печи SiC сталкиваются с уникальными проблемами из-за экстремальных условий выращивания материала и сложных механизмов ......

<...10 11 12 13 14...29 >