> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

Технология очистки графита в полупроводнике SiC

Графит жизненно важен для производства полупроводников из карбида кремния (SiC), известных своими исключительными тепловыми и электрическими свойствами. Это делает SiC идеальным для мощных, высокотемпературных и высокочастотных приложений. В производстве полупроводников SiC графит обычно используетс......

Метод роста кристаллов GaN

При производстве монокристаллических подложек GaN больших размеров HVPE в настоящее время является лучшим выбором для коммерциализации. Однако концентрацию обратных носителей выращенного GaN невозможно точно контролировать.

Монокристалл GaN

Полупроводниковые технологии стали основой современной цивилизации, фундаментально изменив то, как мы живем, работаем и взаимодействуем с миром. Это позволило добиться беспрецедентных достижений в различных областях, включая информационные технологии, энергетику, телекоммуникации и здравоохранение. ......

SiC-керамика: незаменимый материал для высокоточных компонентов в производстве полупроводников

Производство полупроводников, краеугольный камень современного технологического прогресса, находится в постоянном поиске меньших по размеру, более быстрых и эффективных интегральных схем. Это неустанное стремление порождает необходимость во все более точных и сложных производственных процессах, где ......

Что такое степень графитации?

Степень графитизации является важным показателем, используемым для оценки того, насколько близко атомы углерода образуют плотноупакованную гексагональную кристаллическую структуру графита.

Процесс роста тонкой пленки

Обычные тонкие пленки в основном делятся на три категории: тонкие полупроводниковые пленки, тонкие диэлектрические пленки и тонкие пленки из соединений металла и металла.

<...11 12 13 14 15...29 >