> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

Решающая роль эпитаксиальных слоев в полупроводниковых устройствах

Эпитаксиальный рост — это процесс выращивания кристаллографически упорядоченного монокристаллического слоя на подложке. Вообще говоря, эпитаксиальный рост предполагает выращивание кристаллического слоя на монокристаллической подложке, причем выращенный слой имеет ту же кристаллографическую ориентаци......

Зная GaN

В последнее время полупроводниковая промышленность продолжает уделять все большее внимание технологии нитрида галлия (GaN). Благодаря своим превосходным электронным свойствам устройства из нитрида галлия находят важное применение во многих областях высоких технологий:

Рост и перспективы рынка силовых устройств из карбида кремния (SiC)

Поскольку глобальное признание электромобилей постепенно растет, карбид кремния (SiC) столкнется с новыми возможностями роста в предстоящем десятилетии. Ожидается, что производители силовых полупроводников и операторы автомобильной промышленности будут более активно участвовать в построении цепочки ......

Преимущества SiC в индустрии электромобилей

Поскольку SiC является полупроводниковым материалом с широкой запрещенной зоной (WBG), более широкая разница энергий придает ему более высокие тепловые и электронные свойства по сравнению с традиционным Si. Эта функция позволяет силовым устройствам работать при более высоких температурах, частотах и......

Допинг-контроль при сублимационном выращивании SiC

Карбид кремния (SiC) играет важную роль в производстве силовой электроники и высокочастотных устройств благодаря своим превосходным электрическим и термическим свойствам. Качество и уровень легирования кристаллов SiC напрямую влияют на производительность устройства, поэтому точный контроль легирован......

Зная MOCVD

MOCVD — это новая технология эпитаксиального роста из паровой фазы, разработанная на основе эпитаксиального роста из паровой фазы (VPE).

<...11 12 13 14 15...22 >