Развитие 3C-SiC, важного политипа карбида кремния, отражает постоянное развитие науки о полупроводниковых материалах. В 1980-х годах Нишино и др. впервые получила пленку 3C-SiC толщиной 4 мкм на кремниевой подложке с помощью химического осаждения из паровой фазы (CVD) [1], заложив основу для техноло......
Читать далееМонокристаллический кремний и поликристаллический кремний имеют свои уникальные преимущества и сценарии применения. Монокристаллический кремний подходит для высокопроизводительных электронных изделий и микроэлектроники благодаря своим превосходным электрическим и механическим свойствам. Поликристалл......
Читать далееВ процессе изготовления пластин имеются два основных звена: одно — подготовка подложки, другое — осуществление эпитаксиального процесса. Подложка, пластина, тщательно изготовленная из полупроводникового монокристаллического материала, может быть непосредственно использована в процессе производства п......
Читать далееКремниевый материал представляет собой твердый материал с определенными полупроводниковыми электрическими свойствами и физической стабильностью, который обеспечивает поддержку подложки для последующего процесса производства интегральных схем. Это ключевой материал для кремниевых интегральных схем. Б......
Читать далееПодложка из карбида кремния представляет собой сложный полупроводниковый монокристаллический материал, состоящий из двух элементов: углерода и кремния. Он обладает характеристиками большой запрещенной зоны, высокой теплопроводности, высокой критической напряженности поля пробоя и высокой скорости др......
Читать далее