> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

Резка карбида кремния

Карбид кремния (SiC) пользуется большим спросом в полупроводниковой промышленности благодаря своим превосходным физическим и химическим свойствам. Однако высокая твердость и хрупкость SiC создают значительные проблемы при его обработке.

Основная схема процесса изготовления подложки из карбида кремния

Подложка из карбида кремния представляет собой сложный полупроводниковый монокристаллический материал, состоящий из двух элементов: углерода и кремния. Он обладает характеристиками большой запрещенной зоны, высокой теплопроводности, высокой критической напряженности поля пробоя и высокой скорости др......

Критическая роль подложек SiC и выращивания кристаллов в полупроводниковой промышленности

В отраслевой цепочке карбида кремния (SiC) поставщики подложек обладают значительными рычагами влияния, в первую очередь за счет распределения стоимости. Подложки SiC составляют 47% от общей стоимости, за ними следуют эпитаксиальные слои — 23%, а проектирование и производство устройств составляют ос......

Применение SiC и GaN в электромобилях

SiC MOSFET — это транзисторы, которые обеспечивают высокую плотность мощности, повышенный КПД и низкую частоту отказов при высоких температурах. Эти преимущества SiC MOSFET приносят электромобилям (EV) многочисленные преимущества, включая больший запас хода, более быструю зарядку и потенциально боле......

Полупроводники четвертого поколения Оксид галлия/β-Ga2O3

Полупроводниковые материалы первого поколения представлены в основном кремнием (Si) и германием (Ge), популярность которых начала расти в 1950-х годах. Вначале германий доминировал и в основном использовался в низковольтных, низкочастотных транзисторах и фотодетекторах средней мощности, но из-за его......

Бездефектный эпитаксиальный рост и дислокации несоответствия

Бездефектный эпитаксиальный рост происходит, когда одна кристаллическая решетка имеет почти идентичные постоянные решетки другой. Рост происходит при приблизительном совпадении узлов двух решеток в интерфейсной области, что возможно при небольшом несовпадении решеток (менее 0,1%). Такое приближенное......

<...14 15 16 17 18...31 >