> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

Процесс окисления

Самой основной стадией всех процессов является процесс окисления. Процесс окисления заключается в помещении кремниевой пластины в атмосферу окислителей, таких как кислород или водяной пар, для высокотемпературной термообработки (800 ~ 1200 ℃), при этом на поверхности кремниевой пластины происходит х......

Почему эпитаксия нитрида глия (GaN) не растет на подложке GaN?

Рост эпитаксии GaN на подложке GaN представляет собой уникальную задачу, несмотря на превосходные свойства материала по сравнению с кремнием. Эпитаксия GaN предлагает значительные преимущества с точки зрения ширины запрещенной зоны, теплопроводности и электрического поля пробоя по сравнению с матери......

Как выполнить процесс CMP

В процессе производства кремниевых пластин после того, как кристаллический стержень разрезается на кремниевые пластины, его необходимо отполировать и очистить, чтобы получить монокристаллическую кремниевую пластину, подобную зеркалу.

Что такое процесс CMP

В производстве полупроводников плоскостность на атомном уровне обычно используется для описания глобальной плоскостности пластины в единицах нанометров (нм).

Ионная имплантация и процесс диффузии

Ионная имплантация — метод легирования полупроводников и один из основных процессов в производстве полупроводников.

Проблемы технологии ионной имплантации в силовых устройствах на основе SiC и GaN

Ожидается, что полупроводники с широкой запрещенной зоной (WBG), такие как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), будут играть все более важную роль в силовых электронных устройствах. Они обладают рядом преимуществ по сравнению с традиционными кремниевыми (Si) устройствами, включая более высоку......

<...15 16 17 18 19...31 >