В полупроводниковой промышленности эпитаксиальные слои играют решающую роль, образуя особые монокристаллические тонкие пленки на подложке пластины, известные под общим названием эпитаксиальные пластины. В частности, эпитаксиальные слои карбида кремния (SiC), выращенные на проводящих подложках SiC, п......
Читать далееЭпитаксиальный рост — это процесс выращивания кристаллографически упорядоченного монокристаллического слоя на подложке. Вообще говоря, эпитаксиальный рост предполагает выращивание кристаллического слоя на монокристаллической подложке, причем выращенный слой имеет ту же кристаллографическую ориентаци......
Читать далееПоскольку глобальное признание электромобилей постепенно растет, карбид кремния (SiC) столкнется с новыми возможностями роста в предстоящем десятилетии. Ожидается, что производители силовых полупроводников и операторы автомобильной промышленности будут более активно участвовать в построении цепочки ......
Читать далееПоскольку SiC является полупроводниковым материалом с широкой запрещенной зоной (WBG), более широкая разница энергий придает ему более высокие тепловые и электронные свойства по сравнению с традиционным Si. Эта функция позволяет силовым устройствам работать при более высоких температурах, частотах и......
Читать далее