Новости отрасли - Semicorex Advanced Material Technology Co., Ltd

Карбид кремниевая эпитаксия

Существует два типа эпитаксии: гомогенная и гетерогенная. Чтобы производить устройства SiC с удельным сопротивлением и другими параметрами для различных применений, подложка должна соответствовать условиям эпитаксии, прежде чем можно будет начать производство. Качество эпитаксии влияет на производит......

Сухое травление против влажного травления

В производстве полупроводников травление является одним из основных этапов наряду с фотолитографией и осаждением тонких пленок. Он включает удаление нежелательных материалов с поверхности пластины химическими или физическими методами. Этот этап выполняется после нанесения покрытия, фотолитографии и ......

Дислокации в кристаллах SiC

Подложка SiC может иметь микроскопические дефекты, такие как дислокация резьбового винта (TSD), дислокация края резьбы (TED), дислокация базовой плоскости (BPD) и другие. Эти дефекты вызваны отклонениями в расположении атомов на атомном уровне.

О дефектах кристаллов SiC - Micropipe

Подложка SiC может иметь микроскопические дефекты, такие как дислокация резьбового винта (TSD), дислокация края резьбы (TED), дислокация базовой плоскости (BPD) и другие. Эти дефекты вызваны отклонениями в расположении атомов на атомном уровне. Кристаллы SiC также могут иметь макроскопические дислок......

Почему стоит выбрать метод жидкофазной эпитаксии?

По сравнению с методом PVT жидкофазный метод выращивания SiC имеет следующие преимущества:

Что такое жидкофазная эпитаксия?

Жидкофазный метод ближе к условиям термодинамического равновесия и позволяет выращивать кристаллы SiC лучшего качества.