> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

Введение в полупроводники третьего поколения: GaN и связанные с ним эпитаксиальные технологии

Материалы GaN приобрели известность после присуждения Нобелевской премии по физике 2014 года за синие светодиоды. Первоначально привлекая внимание общественности благодаря приложениям быстрой зарядки в бытовой электронике, усилители мощности на основе GaN и радиочастотные устройства постепенно стали......

Подложка против эпитаксии: ключевые роли в производстве полупроводников

В области полупроводниковой техники и микроэлектроники концепции подложек и эпитаксии имеют важное значение. Они играют решающую роль в процессе производства полупроводниковых приборов. В этой статье будут рассмотрены различия между полупроводниковыми подложками и эпитаксией, описаны их определения......

Основные этапы обработки подложки SiC

Обработка подложки 4H-SiC в основном включает в себя следующие этапы:

Ключевые параметры подложек карбида кремния (SiC)

Процесс производства карбида кремния (SiC) включает в себя подготовку подложки и эпитаксию со стороны материалов, за которыми следуют проектирование и производство чипов, упаковка устройств и, наконец, распространение на последующих рынках приложений. Среди этих этапов обработка материала подложки я......

Применение карбида кремния

Карбид кремния находит широкое применение в развивающихся и традиционных отраслях. В настоящее время мировой рынок полупроводников превысил 100 миллиардов юаней. Ожидается, что к 2025 году мировые продажи материалов для производства полупроводников достигнут 39,5 миллиардов долларов США, из которых ......

Введение в процесс ионной имплантации и отжига карбида кремния

В традиционном производстве кремниевых силовых устройств высокотемпературная диффузия и ионная имплантация являются основными методами контроля примесей, каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки. Как правило, высокотемпературная диффузия характеризуется простотой, экономичностью, изотр......

<...16 17 18 19 20...29 >