Новости компании

Каковы технические трудности печи роста кристаллов SIC

Печь роста кристаллов является основным оборудованием для роста кристаллов карбида кремния. Он похож на традиционную печь кристаллического кремниевого качества. Структура печи не очень сложна. Он в основном состоит из корпуса печи, системы отопления, механизма передачи катушки, системы сбора вакуума......

Что такое стеклоподобное углеродное покрытие

Semicorex предлагает высококачественную теплоизоляционную войлку и стеклоподобное углеродное покрытие.

Что такое фиктивная вафля?

В процессе производства полупроводников пластины составляют основу производства чипов. Среди них особый тип пластин, называемый Dummy Wafer, играет ключевую роль в обеспечении стабильности оборудования и контроле производственных затрат.

Иерархические пористые углеродные материалы: синтез и внедрение

Синтез порошка карбида кремния высокой чистоты

Порошок карбида кремния высокой чистоты обладает исключительными характеристиками широкой запрещенной зоны, что делает его идеальным материалом для производства высокочастотных и мощных электронных устройств.

Процесс PECVD

Плазменное химическое осаждение из паровой фазы (PECVD) — широко используемая технология в производстве чипов. Он использует кинетическую энергию электронов в плазме для активации химических реакций в газовой фазе, тем самым обеспечивая осаждение тонких пленок.