Недавно наша компания объявила, что компания успешно разработала 6-дюймовый монокристалл оксида галлия методом литья, став первой отечественной промышленной компанией, освоившей технологию подготовки подложки из 6-дюймового монокристалла оксида галлия.
Читать далееПроцесс роста монокристаллического кремния преимущественно происходит в тепловом поле, где качество тепловой среды существенно влияет на качество кристаллов и эффективность роста. Конструкция теплового поля играет решающую роль в формировании температурных градиентов и динамики газового потока внутр......
Читать далееКарбид кремния (SiC) — это материал, обладающий высокой энергией связи, подобный другим твердым материалам, таким как алмаз и кубический нитрид бора. Однако высокая энергия связи SiC затрудняет кристаллизацию непосредственно в слитки традиционными методами плавки. Поэтому процесс выращивания кристал......
Читать далееПолупроводниковые материалы можно разделить на три поколения по временной последовательности. Первое поколение германия, кремния и других распространенных мономатериалов, характеризующееся удобным переключением, обычно используется в интегральных схемах. Второе поколение арсенида галлия, фосфида инд......
Читать далее