> Новости > Новости компании

Новости компании

Преимущества керамики из карбида кремния в волоконно-оптической промышленности

Керамика из карбида кремния обладает многочисленными преимуществами в производстве оптических волокон, включая высокотемпературную стабильность, низкий коэффициент теплового расширения, низкий порог потерь и повреждений, механическую прочность, коррозионную стойкость, хорошую теплопроводность и низк......

Краткая история карбида кремния и применение покрытий из карбида кремния

История карбида кремния (SiC) берет свое начало в 1891 году, когда Эдвард Гудрич Ачесон случайно обнаружил его при попытке синтезировать искусственные алмазы. Ачесон нагрел смесь глины (алюмосиликата) и порошкообразного кокса (углерода) в электрической печи. Вместо ожидаемых алмазов он получил ярко-......

Печь для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC)

Выращивание кристаллов является основным звеном в производстве подложек из карбида кремния, а основным оборудованием является печь для выращивания кристаллов. Подобно традиционным печам для выращивания кристаллов кристаллического кремния, конструкция печи не очень сложна и в основном состоит из корп......

Проблемы применения и разработки графитовых компонентов с покрытием TaC

Полупроводниковые материалы третьего поколения с широкой запрещенной зоной, такие как нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), известны своими исключительными возможностями оптоэлектронного преобразования и передачи микроволновых сигналов. Эти материалы отвечают строгим требованиям высокочастотны......

Что такое лодка из карбида кремния и каковы различные процессы ее производства?

Лодочка из карбида кремния (сокращение от «лодочка из карбида кремния») представляет собой устойчивый к высоким температурам аксессуар, используемый в трубах печей для транспортировки пластин во время высокотемпературной обработки. Благодаря выдающимся свойствам карбида кремния, таким как стойкость ......

Пористый графит для выращивания кристаллов SiC

В настоящее время большинство производителей подложек SiC используют новую технологию термического поля тигля с цилиндрами из пористого графита: размещение исходных материалов из частиц SiC высокой чистоты между стенкой графитового тигля и цилиндром из пористого графита при одновременном углублении ......

<...3 4 5 6 7...9 >