> Новости > Новости компании

Новости компании

Понимание химического осаждения из паровой фазы (CVD): комплексный обзор

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) — это универсальный метод осаждения тонких пленок, широко используемый в полупроводниковой промышленности для изготовления высококачественных конформных тонких пленок на различных подложках. Этот процесс включает химические реакции газообразных предшественн......

SiC-лодочки против кварцевых: текущее использование и будущие тенденции в производстве полупроводников

В этой статье мы углубимся в использование и будущую траекторию развития «лодочек» из карбида кремния (SiC) по отношению к кварцевым «лодочкам» в полупроводниковой промышленности, уделяя особое внимание их применению в производстве солнечных батарей.

Эпитаксиальные пластины нитрида галлия: введение в процесс изготовления

Эпитаксиальный рост пластин нитрида галлия (GaN) представляет собой сложный процесс, часто использующий двухэтапный метод. Этот метод включает в себя несколько важных стадий, включая высокотемпературный обжиг, рост буферного слоя, рекристаллизацию и отжиг. Благодаря тщательному контролю температуры ......

В чем разница между эпитаксиальными и диффузными пластинами

Как эпитаксиальные, так и диффузные пластины являются важными материалами в производстве полупроводников, но они существенно различаются по процессам изготовления и целевому применению. В этой статье рассматриваются ключевые различия между этими типами пластин.

Каковы плюсы и минусы сухого и влажного травления?

Травление является важным процессом в производстве полупроводников. Этот процесс можно разделить на два типа: сухое травление и влажное травление. Каждый метод имеет свои преимущества и ограничения, поэтому крайне важно понимать различия между ними. Итак, как выбрать лучший метод травления? Каковы п......

Основной материал для выращивания SiC: покрытие из карбида тантала

Нынешние полупроводники третьего поколения в основном основаны на карбиде кремния, при этом на подложки приходится 47% стоимости устройств, а на эпитаксию приходится 23%, что в сумме составляет около 70% и составляет наиболее важную часть индустрии производства устройств SiC.

<...2 3 4 5 6...9 >