> Новости > Новости компании

Новости компании

Печь для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC)

Выращивание кристаллов является основным звеном в производстве подложек из карбида кремния, а основным оборудованием является печь для выращивания кристаллов. Подобно традиционным печам для выращивания кристаллов кристаллического кремния, конструкция печи не очень сложна и в основном состоит из корп......

Проблемы применения и разработки графитовых компонентов с покрытием TaC

Полупроводниковые материалы третьего поколения с широкой запрещенной зоной, такие как нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), известны своими исключительными возможностями оптоэлектронного преобразования и передачи микроволновых сигналов. Эти материалы отвечают строгим требованиям высокочастотны......

Что такое лодка из карбида кремния и каковы различные процессы ее производства?

Лодочка из карбида кремния (сокращение от «лодочка из карбида кремния») представляет собой устойчивый к высоким температурам аксессуар, используемый в трубах печей для транспортировки пластин во время высокотемпературной обработки. Благодаря выдающимся свойствам карбида кремния, таким как стойкость ......

Пористый графит для выращивания кристаллов SiC

В настоящее время большинство производителей подложек SiC используют новую технологию термического поля тигля с цилиндрами из пористого графита: размещение исходных материалов из частиц SiC высокой чистоты между стенкой графитового тигля и цилиндром из пористого графита при одновременном углублении ......

Плазменные процессы при операциях CVD

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) относится к технологии процесса, при которой несколько газообразных реагентов при различных парциальных давлениях вступают в химическую реакцию при определенных условиях температуры и давления. Полученное твердое вещество осаждается на поверхности материала......

Кремниевые эпитаксиальные слои и подложки в производстве полупроводников

В современной электронике, оптоэлектронике, микроэлектронике и информационных технологиях незаменимы полупроводниковые подложки и эпитаксиальные технологии. Они обеспечивают прочную основу для производства высокопроизводительных и надежных полупроводниковых приборов. По мере развития технологий полу......

<...2 3 4 5 6...8 >