Толстые слои карбида кремния (SiC) высокой чистоты, обычно превышающие 1 мм, являются критически важными компонентами в различных дорогостоящих приложениях, включая производство полупроводников и аэрокосмические технологии. В этой статье подробно рассматривается процесс химического осаждения из паро......
Читать далееХимическое осаждение из паровой фазы (CVD) — это универсальный метод осаждения тонких пленок, широко используемый в полупроводниковой промышленности для изготовления высококачественных конформных тонких пленок на различных подложках. Этот процесс включает химические реакции газообразных предшественн......
Читать далееВ этой статье мы углубимся в использование и будущую траекторию развития «лодочек» из карбида кремния (SiC) по отношению к кварцевым «лодочкам» в полупроводниковой промышленности, уделяя особое внимание их применению в производстве солнечных батарей.
Читать далееЭпитаксиальный рост пластин нитрида галлия (GaN) представляет собой сложный процесс, часто использующий двухэтапный метод. Этот метод включает в себя несколько важных стадий, включая высокотемпературный обжиг, рост буферного слоя, рекристаллизацию и отжиг. Благодаря тщательному контролю температуры ......
Читать далееКак эпитаксиальные, так и диффузные пластины являются важными материалами в производстве полупроводников, но они существенно различаются по процессам изготовления и целевому применению. В этой статье рассматриваются ключевые различия между этими типами пластин.
Читать далееТравление является важным процессом в производстве полупроводников. Этот процесс можно разделить на два типа: сухое травление и влажное травление. Каждый метод имеет свои преимущества и ограничения, поэтому крайне важно понимать различия между ними. Итак, как выбрать лучший метод травления? Каковы п......
Читать далее