Эпитаксиальный рост пластин нитрида галлия (GaN) представляет собой сложный процесс, часто использующий двухэтапный метод. Этот метод включает в себя несколько важных стадий, включая высокотемпературный обжиг, рост буферного слоя, рекристаллизацию и отжиг. Благодаря тщательному контролю температуры ......
Читать далееКак эпитаксиальные, так и диффузные пластины являются важными материалами в производстве полупроводников, но они существенно различаются по процессам изготовления и целевому применению. В этой статье рассматриваются ключевые различия между этими типами пластин.
Читать далееТравление является важным процессом в производстве полупроводников. Этот процесс можно разделить на два типа: сухое травление и влажное травление. Каждый метод имеет свои преимущества и ограничения, поэтому крайне важно понимать различия между ними. Итак, как выбрать лучший метод травления? Каковы п......
Читать далееНынешние полупроводники третьего поколения в основном основаны на карбиде кремния, при этом на подложки приходится 47% стоимости устройств, а на эпитаксию приходится 23%, что в сумме составляет около 70% и составляет наиболее важную часть индустрии производства устройств SiC.
Читать далееКерамика из карбида кремния обладает многочисленными преимуществами в производстве оптических волокон, включая высокотемпературную стабильность, низкий коэффициент теплового расширения, низкий порог потерь и повреждений, механическую прочность, коррозионную стойкость, хорошую теплопроводность и низк......
Читать далееИстория карбида кремния (SiC) берет свое начало в 1891 году, когда Эдвард Гудрич Ачесон случайно обнаружил его при попытке синтезировать искусственные алмазы. Ачесон нагрел смесь глины (алюмосиликата) и порошкообразного кокса (углерода) в электрической печи. Вместо ожидаемых алмазов он получил ярко-......
Читать далее