> Новости > Новости компании

Новости компании

Кварц высокой чистоты: незаменимый материал для полупроводниковой промышленности

Кварц высокой чистоты обладает замечательными физическими и химическими свойствами. Присущая ему кристаллическая структура, форма и вариации решетки способствуют исключительным характеристикам, таким как устойчивость к высоким температурам, коррозионная стойкость, стойкость к истиранию, низкий коэфф......

Керамика из карбида кремния и разнообразные процессы ее изготовления

В этой статье представлен всесторонний обзор различных производственных технологий, используемых для производства плотной SiC-керамики, подчеркиваются их уникальные характеристики и области применения.

Демистификация технологии электростатического патрона (ESC) при работе с пластинами

Электростатические патроны (ESC) стали незаменимыми в производстве полупроводников и плоских дисплеев, предлагая безвредный и легко контролируемый метод удержания и позиционирования деликатных пластин и подложек на критических этапах обработки. Эта статья углубляется в тонкости технологии ESC, иссле......

Толстый карбид кремния высокой чистоты, полученный методом CVD: анализ процесса выращивания материалов

Толстые слои карбида кремния (SiC) высокой чистоты, обычно превышающие 1 мм, являются критически важными компонентами в различных дорогостоящих приложениях, включая производство полупроводников и аэрокосмические технологии. В этой статье подробно рассматривается процесс химического осаждения из паро......

Понимание химического осаждения из паровой фазы (CVD): комплексный обзор

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) — это универсальный метод осаждения тонких пленок, широко используемый в полупроводниковой промышленности для изготовления высококачественных конформных тонких пленок на различных подложках. Этот процесс включает химические реакции газообразных предшественн......

SiC-лодочки против кварцевых: текущее использование и будущие тенденции в производстве полупроводников

В этой статье мы углубимся в использование и будущую траекторию развития «лодочек» из карбида кремния (SiC) по отношению к кварцевым «лодочкам» в полупроводниковой промышленности, уделяя особое внимание их применению в производстве солнечных батарей.

<1 2 3 4 5...8 >