Карбид кремния (SiC) — это материал, обладающий высокой энергией связи, подобный другим твердым материалам, таким как алмаз и кубический нитрид бора. Однако высокая энергия связи SiC затрудняет кристаллизацию непосредственно в слитки традиционными методами плавки. Поэтому процесс выращивания кристал......
Читать далееПолупроводниковые материалы можно разделить на три поколения по временной последовательности. Первое поколение германия, кремния и других распространенных мономатериалов, характеризующееся удобным переключением, обычно используется в интегральных схемах. Второе поколение арсенида галлия, фосфида инд......
Читать далееПоскольку мир ищет новые возможности в области полупроводников, нитрид галлия продолжает выделяться как потенциальный кандидат для будущих энергетических и радиочастотных применений. Однако, несмотря на все преимущества, которые он предлагает, он по-прежнему сталкивается с серьезной проблемой; издел......
Читать далееОксид галлия (Ga2O3) как «полупроводниковый материал со сверхширокозонной зоной» привлекает постоянное внимание. Полупроводники со сверхширокой запрещенной зоной подпадают под категорию «полупроводников четвертого поколения», и по сравнению с полупроводниками третьего поколения, такими как карбид кр......
Читать далее