> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

Ориентация кристаллов и дефекты в кремниевых пластинах

Основная кристаллическая ячейка монокристаллического кремния представляет собой структуру цинковой обманки, в которой каждый атом кремния химически связан с четырьмя соседними атомами кремния. Эта структура также встречается в монокристаллических углеродных алмазах.

Обработка монокристаллической подложки SiC

Монокристаллы карбида кремния (SiC) в основном производятся методом сублимации. После извлечения кристалла из тигля требуется несколько сложных этапов обработки для создания пригодных для использования пластин.

Представляем кремниевый материал

Кремний — второй по распространенности элемент на Земле после кислорода. Больше всего кремния содержится в почве, камнях, природной воде, деревьях и растениях.

Почему в полупроводниковой промышленности растет спрос на керамику SiC с высокой теплопроводностью?

В настоящее время карбид кремния (SiC) является весьма активной областью исследований теплопроводных керамических материалов как внутри страны, так и за рубежом.

Процессы отжига в современном полупроводниковом производстве

Поскольку технологические узлы продолжают сокращаться, формирование сверхмелких соединений представляет собой серьезную проблему. Процессы термического отжига, в том числе быстрый термический отжиг (RTA) и отжиг импульсной лампой (FLA), являются жизненно важными методами, которые поддерживают высоку......

Как на самом деле производятся керамические электростатические патроны?

В производстве полупроводников точность и стабильность процесса травления имеют первостепенное значение. Одним из важнейших факторов достижения высококачественного травления является обеспечение идеально ровного положения пластин на лотке во время процесса. Любое отклонение может привести к неравном......

<...7 8 9 10 11...29 >