Полупроводниковые материалы первого поколения представлены в основном кремнием (Si) и германием (Ge), популярность которых начала расти в 1950-х годах. Вначале германий доминировал и в основном использовался в низковольтных, низкочастотных транзисторах и фотодетекторах средней мощности, но из-за его......
Читать далееБездефектный эпитаксиальный рост происходит, когда одна кристаллическая решетка имеет почти идентичные постоянные решетки другой. Рост происходит при приблизительном совпадении узлов двух решеток в интерфейсной области, что возможно при небольшом несовпадении решеток (менее 0,1%). Такое приближенное......
Читать далееСамой основной стадией всех процессов является процесс окисления. Процесс окисления заключается в помещении кремниевой пластины в атмосферу окислителей, таких как кислород или водяной пар, для высокотемпературной термообработки (800 ~ 1200 ℃), при этом на поверхности кремниевой пластины происходит х......
Читать далееРост эпитаксии GaN на подложке GaN представляет собой уникальную задачу, несмотря на превосходные свойства материала по сравнению с кремнием. Эпитаксия GaN предлагает значительные преимущества с точки зрения ширины запрещенной зоны, теплопроводности и электрического поля пробоя по сравнению с матери......
Читать далее