> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

Отжиг

Отжиг после ионной имплантации является ключевым этапом в производстве полупроводниковых устройств, который влияет на производительность и надежность устройства.

Выращивание кристаллов AlN методом PVT

Третье поколение широкозонных полупроводниковых материалов, включая нитрид галлия (GaN), карбид кремния (SiC) и нитрид алюминия (AlN), демонстрирует превосходные электрические, термические и акустооптические свойства. Эти материалы устраняют ограничения первого и второго поколений полупроводниковых ......

Технология селективного травления SiGe и Si

Важным шагом в изготовлении GAAFET n-типа является высокоселективное травление стопок SiGe:Si перед осаждением внутренних прокладок, созданием кремниевых нанолистов и освобождением каналов.

SiGe в производстве микросхем: профессиональный новостной репортаж

Чтобы удовлетворить требования современной полупроводниковой технологии к высокой производительности и низкому энергопотреблению, SiGe (кремний-германий) стал предпочтительным композитным материалом при производстве полупроводниковых чипов благодаря своим уникальным физическим и электрическим свойст......

Полупроводниковая единица: Ангстрем.

В качестве единицы длины Ангстрем (Å) повсеместно используется в производстве интегральных схем. От точного контроля толщины материала до миниатюризации и оптимизации размеров устройств — понимание и применение шкалы Ангстрема является основой непрерывного развития полупроводниковых технологий.

Почти 840 миллионов долларов: Onsemi приобретает компанию SiC

Сегодня Onsemi объявила на своем официальном сайте, что достигла соглашения с Qorvo о приобретении технологического бизнеса SiC JFET и дочерней компании Qorvo.

<...3 4 5 6 7...29 >