При производстве полупроводников окисление включает помещение пластины в высокотемпературную среду, где кислород течет по поверхности пластины, образуя оксидный слой. Это защищает пластину от химических примесей, предотвращает попадание тока утечки в схему, предотвращает диффузию при ионной импланта......
Читать далееКварц принадлежит к тригональной кристаллической системе, которая представляет собой трехмерный каркасный минеральный кристалл, состоящий из диоксида кремния. Обычно чистый кварц бесцветен и прозрачен, но принимает разнообразные оттенки в результате присутствия микропигментных ионов, мелкодисперсных......
Читать далееМатериал SiC состоит не из одного тетраэдра, состоящего из одного атома Si и одного атома C, а из бесчисленного множества атомов Si и C. Большое количество атомов Si и C образуют волнообразные двойные атомные слои (один слой атомов C и один слой атомов Si), а многочисленные двойные атомные слои скла......
Читать далееПроизводство и обработка высококачественных подложек из карбида кремния сопряжены с чрезвычайно высокими техническими барьерами. На протяжении всего процесса, от подготовки сырья до производства готовой продукции, сохраняются многочисленные проблемы, что стало решающим фактором, ограничивающим его ш......
Читать далееУглерод-керамические тормозные диски представляют собой высокоэффективные тормозные решения, изготовленные из композитных материалов на основе карбида кремния, армированных углеродным волокном, техническое происхождение которых можно проследить в области торможения самолетов в 1970-х годах. Использу......
Читать далее