Эпитаксия карбида кремния

Semicorex предлагает специальные тонкопленочные (карбид кремния) эпитаксии SiC на подложках для разработки устройств из карбида кремния.

Эпитаксию SiC можно адаптировать для удовлетворения конкретных требований к устройству путем включения легирующих примесей или выращивания кристаллов с различной ориентацией. Легирование эпитаксиального слоя примесями, такими как азот или алюминий, позволяет модифицировать электрические свойства, например контролировать концентрацию носителей или создавать p-n переходы.

Качество эпитаксиального слоя SiC оценивается с помощью различных методов характеризации, включая рентгеновскую дифракцию, сканирующую электронную микроскопию, атомно-силовую микроскопию и электрические измерения. Эти методы помогают оценить кристаллическую структуру, морфологию поверхности и электрические характеристики эпитаксиального слоя.

Semicorex может предложить: эпитаксиальные пластины SiC, эпитаксиальные пластины GaN, эпитаксиальные пластины Si, пластины SiC и т. д.