Карбид кремниевая эпитаксия

Компания Semicorex предлагает специальную эпитаксию тонких пленок (карбида кремния) SiC на подложках для разработки устройств из карбида кремния.

Эпитаксия SiC может быть адаптирована к конкретным требованиям устройства путем введения легирующих примесей или выращивания кристаллов с различной ориентацией. Легирование эпитаксиального слоя примесями, такими как азот или алюминий, позволяет изменять электрические свойства, например контролировать концентрацию носителей заряда или создавать pn-переходы.

Качество эпитаксиального слоя SiC оценивается с помощью различных методов определения характеристик, включая дифракцию рентгеновских лучей, сканирующую электронную микроскопию, атомно-силовую микроскопию и электрические измерения. Эти методы помогают оценить кристаллическую структуру, морфологию поверхности и электрические характеристики эпитаксиального слоя.

Semicorex может предложить: эпитаксиальные пластины SiC, эпитаксиальные пластины GaN, эпитаксиальные пластины Si, пластины SiC и т. д.