Пористые графитовые материалы для выращивания монокристаллов SiC

Пористые графитовые материалы Semicorex разработаны с учетом строгих требований выращивания кристаллов SiC. Эти материалы, спроектированные с высокой точностью и обеспечивающие высокие эксплуатационные характеристики, являются вашим ключом к получению превосходных кристаллов SiC с непревзойденным качеством и чистотой.

Функции:

Оптимизированная пористость: наши пористые графитовые материалы имеют точно контролируемый уровень пористости, что облегчает рост монокристаллического SiC. Равномерное распределение пор обеспечивает стабильные и надежные результаты.

Высокая теплопроводность. Чтобы обеспечить эффективную передачу тепла в процессе выращивания SiC, наши материалы обладают высокой теплопроводностью, что снижает температурные градиенты и минимизирует дефекты кристаллов.

Химическая инертность. Устойчивость к агрессивным химическим средам имеет первостепенное значение при выращивании кристаллов. Наши материалы исключительно химически инертны, что гарантирует их стабильность и устойчивость к коррозийному характеру процессов роста SiC.

Механическая стабильность: рассчитанные на долговечность, эти материалы обладают исключительной механической стабильностью, сводя к минимуму риск деформации или повреждения при длительном использовании.

Возможность настройки: мы понимаем, что разные процессы выращивания кристаллов предъявляют уникальные требования. Вот почему мы предлагаем ряд возможностей индивидуальной настройки, включая различные уровни пористости, размеры и формы, чтобы адаптировать наши материалы к вашим конкретным потребностям.