Пористый графитовый материал высокой чистоты

Пористый графит высокой чистоты, примером которого является пористый графит Semicorex, является вершиной среди материалов, используемых для выращивания монокристаллов SiC (карбида кремния) в полупроводниковой промышленности. Этот специализированный графитовый материал разработан с особым упором на сверхвысокую чистоту и исключительную открытую пористость, что делает его первоклассным выбором для требовательных применений в процессах выращивания кристаллов.

Отличительная особенность пористого графита Semicorex заключается в его непревзойденной чистоте, обеспечивающей минимальное количество примесей, которые могут поставить под угрозу целостность процесса производства полупроводников. Такой высокий уровень чистоты необходим для выращивания монокристаллов SiC, поскольку любые загрязнения могут отрицательно повлиять на электрические и структурные свойства полученного полупроводникового материала.

Кроме того, пористый графит Semicorex может похвастаться высокой открытой пористостью, ключевой характеристикой эффективного и контролируемого роста кристаллов. Открытая пористость облегчает точный контроль потока газа и распределения тепла в процессе роста кристаллов, способствуя производству высококачественных монокристаллов SiC с однородными свойствами.

Первоклассное качество материала выходит за рамки его химических и физических характеристик. Пористый графит Semicorex тщательно обрабатывается и обрабатывается в соответствии со строгими требованиями полупроводниковой промышленности. Его надежность, стабильность и производительность делают его предпочтительным выбором для производителей полупроводников, занимающихся выращиванием монокристаллов SiC.