Держатель затравочных кристаллов с покрытием TaC — это высокопроизводительный компонент, специально разработанный для условий выращивания полупроводниковых материалов. Являясь ведущим производителем держателей затравочных кристаллов с покрытием TTaC, компания Semicorex предлагает вам эффективные решения для основных компонентов в области производства высокотехнологичных полупроводников.
Субстратс покрытием TaCДержатель затравочного кристалла обычно изготавливается из графита, карбида кремния или углеродно-углеродных композитных материалов, а затем на его поверхность наносится слой покрытия TaC с помощью передовой технологии сверхвысокотемпературного химического осаждения из паровой фазы (CVD). Держатель затравочных кристаллов с покрытием TaC, изготовленный этим методом, обладает превосходной коррозионной стойкостью, сверхмеханической прочностью, хорошей устойчивостью к высоким температурам и эффективной теплопроводностью.
Функция держателя затравочных кристаллов с покрытием TaC
1. Функция поддержки
Держатель затравочных кристаллов Semicorex с покрытием TaC обеспечивает стабильную опорную платформу для затравочных кристаллов, гарантируя, что затравочный кристалл сохраняет фиксированное положение в сложных условиях, таких как высокая температура и высокий вакуум. Это эффективно предотвращает такие проблемы, как смещение кристаллов или повреждение из-за вибрации и потока воздуха, и, таким образом, обеспечивает непрерывность и стабильность роста кристаллов.
2. Защитный эффект
Держатель затравочных кристаллов с покрытием TaC установлен над крышкой графитового тигля и изолирует графитовую крышку от высокотемпературных паров Si. Это эффективно предотвращает коррозию, вызванную паром, и продлевает срок службы графитовой крышки. Кроме того, присущая покрытию TaC химическая стабильность и термостойкость также помогают уменьшить попадание примесей, обеспечивая стабильную и чистую среду для роста затравочных кристаллов.
3. Контроль температуры
В держателе затравочных кристаллов Semicorex TaC с покрытием используются передовые технологии производства. Точный контроль температуры теплового поля может быть достигнут путем умелой оптимизации их формы, размеров и толщины покрытия. Это значительно снижает количество дефектов и эффективно способствует равномерному росту кристаллов.