Планетарная пластина Semicorex TaC с покрытием — это высокоточный компонент, предназначенный для эпитаксиального выращивания методом MOCVD, отличающийся планетарным движением с множеством карманов для пластин и оптимизированным управлением потоком газа. Выбор Semicorex означает доступ к передовым технологиям нанесения покрытий и инженерному опыту, которые обеспечивают исключительную долговечность, чистоту и стабильность процессов в полупроводниковой промышленности.*
Планетарная пластина Semicorex TaC с покрытием служит ключевым компонентом в реакторах MOCVD, демонстрируя планетарную конструкцию, характеризующуюся многочисленными пластинчатыми карманами, расположенными вдоль ее поверхности. Эти карманы специально созданы для надежного размещения пластин на этапе роста любого эпитаксиального слоя, стабилизации пластин подложки и минимизации движения подложки при повышенных температурах процесса. Точная геометрия кармана обеспечивает равномерное размещение пластин, что важно для равномерной толщины эпитаксиальных слоев и однородности уровня дефектов подложки для всех пластин, выращенных в одном процессе.
Важным аспектом конструкции планетарной пластины, опять же, является специальное распределение мелких отверстий для потока газа вдоль поверхности пластины. Эти отверстия тщательно спроектированы и стратегически расположены специально для измерения потока газов-прекурсоров в реакторе, поэтому достигается равномерное распыление и равномерное осаждение газа на каждой пластине. В любом процессе MOCVD аспекты газовой динамики имеют решающее значение для определения качества пленки, однородности толщины и общей производительности устройства. Оптимизированная конструкция отверстий наTaC с покрытиемПланетарная пластина гарантирует, что все пластины подвергаются одинаковым условиям процесса, что обеспечивает оптимальный способ повышения выхода и воспроизводимости.
The Покрытие TaC (карбид тантала)еще больше продлевает производительность и срок службы планетарной пластины. Карбид тантала чрезвычайно тверд, химически инертен и теплопроводен, что делает его отличным покрытием для экстремальных условий MOCVD. Во время эпитаксии компоненты реактора будут подвергаться воздействию высоких температур, химически активных газов-прекурсоров и воздействия плазмы. Покрытие TaC служит надежным барьером для коррозии, окисления и образования частиц, что приводит к значительному продлению срока службы планетарных пластин по сравнению с пластинами без покрытия или пластинами с традиционным покрытием.
Долговечность и долговечность планетарных пластин с покрытием TaC делают их экономически эффективным выбором для систем MOCVD. Прочный слой TaC может выдерживать повторяющиеся термические циклы и воздействие экстремальных технологических газов, сохраняя при этом структурную целостность и стабильность характеристик при работе в течение длительных периодов времени.
