Компания Semicorex Graphite Thermal Field сочетает в себе передовые достижения материаловедения с глубоким пониманием процессов выращивания кристаллов и предлагает инновационное решение, которое позволяет полупроводниковой промышленности достичь новых уровней производительности, эффективности и экономичности.**
Читать далееОтправить запросSemicorex LPE SiC-Epi Halfmoon — незаменимый актив в мире эпитаксии, обеспечивающий надежное решение проблем, связанных с высокими температурами, активными газами и строгими требованиями к чистоте.**
Читать далееОтправить запросПокрытие Semicorex CVD TaC становится важной технологией, позволяющей работать в сложных условиях эпитактических реакторов, характеризующихся высокими температурами, химически активными газами и строгими требованиями к чистоте, что требует использования прочных материалов для обеспечения последовательного роста кристаллов и предотвращения нежелательных реакций.**
Читать далееОтправить запросИнструменты для извлечения одиночного кремния из графита Semicorex становятся невоспетыми героями в огненном тигле печей для выращивания кристаллов, где температура стремительно растет, а точность царит безраздельно. Их замечательные свойства, отточенные благодаря инновационному производству, делают их незаменимыми для создания безупречного монокристаллического кремния.**
Читать далееОтправить запросНаправляющее кольцо Semicorex TaC с покрытием является важной частью оборудования для химического осаждения металлоорганических соединений (MOCVD), обеспечивая точную и стабильную доставку газов-прекурсоров во время процесса эпитаксиального роста. Направляющее кольцо с покрытием TaC обладает рядом свойств, которые делают его идеальным для выдерживания экстремальных условий в камере реактора MOCVD.**
Читать далееОтправить запросПриверженность Semicorex качеству и инновациям очевидна в сегменте SiC MOCVD. Обеспечивая надежную, эффективную и высококачественную эпитаксию SiC, она играет жизненно важную роль в расширении возможностей полупроводниковых устройств следующего поколения.**
Читать далееОтправить запрос