- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Продукты
- View as
Несущая пластина для травления PSS для полупроводников
Несущая пластина для травления Semicorex PSS для полупроводников специально разработана для высокотемпературных и агрессивных сред химической очистки, необходимых для процессов эпитаксиального выращивания и обращения с пластинами. Наша сверхчистая несущая пластина для травления PSS для полупроводников предназначена для поддержки пластин на этапах осаждения тонких пленок, таких как MOCVD и эпитаксиальные токоприемники, блинные или сателлитные платформы. Наш носитель с покрытием SiC обладает высокой термостойкостью и коррозионной стойкостью, отличными свойствами распределения тепла и высокой теплопроводностью. Мы предлагаем экономически эффективные решения для наших клиентов, и наша продукция охватывает многие европейские и американские рынки. Semicorex надеется стать вашим долгосрочным парт......
Читать далееОтправить запрос
Носитель для травления PSS с покрытием SiC
Носители пластин, используемые при эпиксиальном выращивании и обработке пластин, должны выдерживать высокие температуры и жесткую химическую очистку. Носитель для травления PSS с покрытием из карбида кремния Semicorex, разработанный специально для этих требовательных приложений эпитаксиального оборудования. Наши продукты имеют хорошее ценовое преимущество и охватывают многие европейские и американские рынки. Мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Читать далееОтправить запрос
Цилиндрический токоприемник с покрытием SiC для эпитаксиального роста методом ЖФЭ
Сепаратор цилиндра с покрытием SiC Semicorex для эпитаксиального роста LPE — это высокопроизводительный продукт, разработанный для обеспечения стабильной и надежной работы в течение длительного периода времени. Его равномерный тепловой профиль, ламинарная картина газового потока и предотвращение загрязнения делают его идеальным выбором для выращивания высококачественных эпитаксиальных слоев на пластинах. Его настраиваемость и экономичность делают его высококонкурентным продуктом на рынке.
Читать далееОтправить запрос
Эписистема с бочкообразным суппортом для эпитаксии ЖФЭ
Semicorex Barrel Susceptor Epi System для LPE Epitaxy — это высококачественный продукт, обеспечивающий превосходную адгезию покрытия, высокую чистоту и стойкость к высокотемпературному окислению. Равномерный тепловой профиль, ламинарный характер потока газа и предотвращение загрязнения делают его идеальным выбором для выращивания эпиксиальных слоев на чипах пластин. Его экономичность и настраиваемость делают его высококонкурентным продуктом на рынке.
Читать далееОтправить запрос
Реакторная система для жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ)
Реакторная система жидкофазной эпитаксии Semicorex (LPE) — это инновационный продукт, который обеспечивает превосходные тепловые характеристики, равномерный тепловой профиль и превосходную адгезию покрытия. Его высокая чистота, стойкость к высокотемпературному окислению и коррозионная стойкость делают его идеальным выбором для использования в полупроводниковой промышленности. Его настраиваемые параметры и экономичность делают его высококонкурентным продуктом на рынке.
Читать далееОтправить запрос
Эпитаксиальное осаждение CVD в цилиндрическом реакторе
Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor — это очень прочный и надежный продукт для выращивания эпиксиальных слоев на кристаллах пластин. Его стойкость к высокотемпературному окислению и высокая чистота делают его пригодным для использования в полупроводниковой промышленности. Его равномерный тепловой профиль, ламинарный характер потока газа и предотвращение загрязнения делают его идеальным выбором для высококачественного роста эпиксиального слоя.
Читать далееОтправить запрос
