Травильная пластина из карбида кремния ICP

Травильная пластина из карбида кремния ICPКомпетентен в обеспечении стабильной поддержки и точного позиционирования пластин в операциях травления, эффективно предотвращая снижение точности травления, вызванное вибрацией или смещением.

Травильная пластина из карбида кремния ICP обладает возможностями терморегулирования. Превосходная теплопроводностьСИК керамикапридает пластине для травления карбида кремния ICP способность быстро рассеивать тепло, что помогает предотвратить локальный перегрев заготовки и обеспечить однородность температуры травления, тем самым улучшая качество травления. Керамика SiC имеет низкий коэффициент теплового расширения, что позволяет травильной пластине из карбида кремния ICP сохранять хорошую размерную стабильность и уменьшать смещение или деформацию заготовки, вызванную тепловым расширением.

Опираясь на свои превосходные свойства твердости и прочности, травильная пластина ICP из карбида кремния демонстрирует способность выдерживать механические напряжения и плазменные воздействия, возникающие в процессе травления, с минимальной деформацией или повреждением. Эта способность эффективно повышает производительность и эффективность производства полупроводниковых устройств.

Рабочая среда ICP требует чистоты на уровне полупроводников. Пластина для травления ИСП из карбида кремния компании Semicorex может полностью удовлетворить это требование, обеспечивая исключительную устойчивость к химическим газам (таким как хлор и фтор) и плазме в среде ИСП-травления. Эта важная особенность обеспечивает чистоту технологической среды за счет уменьшения количества загрязнений, выделяющихся во время операций травления.

Опираясь на свои превосходные свойства твердости и прочности, травильная пластина ICP из карбида кремния демонстрирует способность выдерживать механические напряжения и плазменные воздействия, возникающие в процессе травления, с минимальной деформацией или повреждением. Эта способность эффективно повышает производительность и эффективность производства полупроводниковых устройств.