Крышка камеры из карбида кремния

Крышка камеры из карбида кремния, используемая при выращивании кристаллов и обработке пластин, должна выдерживать высокие температуры и жесткую химическую очистку. Semicorex является крупным производителем и поставщиком графитового токоприемника с покрытием из карбида кремния в Китае. Наши продукты имеют хорошее ценовое преимущество и охватывают многие европейские и американские рынки. Мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером.

Отправить запрос

Описание продукта

Крышка камеры из карбида кремния, используемая при выращивании монокристаллов или MOCVD, или обработке пластин, должна выдерживать высокие температуры и жесткую химическую очистку. Semicorex поставляет графитовую конструкцию с покрытием из высокочистого карбида кремния (SiC), обеспечивающую превосходную термостойкость, равномерную тепловую однородность для постоянной толщины эпитаксиального слоя и стойкости, а также длительную химическую стойкость. Они устойчивы к сочетанию летучих газов-предшественников, плазмы и высокой температуры.
Наша крышка камеры из карбида кремния предназначена для достижения наилучшей ламинарной картины потока газа, обеспечивая равномерность теплового профиля. Это помогает предотвратить любое загрязнение или диффузию примесей, обеспечивая высококачественный эпитаксиальный рост на кристалле пластины.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашей крышке камеры из карбида кремния.

Параметры крышки камеры из карбида кремния

Основные характеристики покрытия CVD-SIC
SiC-ХОПФ свойства
Кристальная структура	Фаза FCC Î²
Плотность	г/см³	3.21
твердость	твердость по Виккерсу	2500
Размер зерна	Î¼ м	2~10
Химическая чистота	%	99.99995
Теплоемкость	Дж·кг-1 ·К-1	640
Температура сублимации	℃	2700
Фелексурная сила	МПа (4-балльная КТ)	415
Модуль Юнга	ГПа (изгиб 4pt, 1300°C)	430
Тепловое расширение (CTE)	10-6К-1	4.5
Теплопроводность	(Вт/мК)	300