Крышка камеры из карбида кремния

Крышка камеры из карбида кремния, используемая при выращивании кристаллов и обработке пластин, должна выдерживать высокие температуры и суровую химическую очистку. Semicorex является крупным производителем и поставщиком графитовых токоприемников с покрытием из карбида кремния в Китае. Наша продукция имеет хорошее ценовое преимущество и охватывает многие рынки Европы и Америки. Мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером.

Отправить запрос

Описание продукта

Крышка камеры из карбида кремния, используемая при выращивании монокристаллов, MOCVD или обработке пластин, должна выдерживать высокие температуры и жесткую химическую очистку. Semicorex поставляет графитовую конструкцию с покрытием из карбида кремния (SiC) высокой чистоты, обеспечивающую превосходную термостойкость, равномерную термическую однородность для обеспечения постоянной толщины и стойкости эпи-слоя, а также длительную химическую стойкость. Они устойчивы к воздействию сочетания летучих газов-прекурсоров, плазмы и высокой температуры.
Наша крышка камеры из карбида кремния разработана для достижения наилучшей ламинарной схемы потока газа, обеспечивая равномерность теплового профиля. Это помогает предотвратить любые загрязнения или диффузию примесей, обеспечивая высококачественный эпитаксиальный рост на пластине-чипе.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашей крышке камеры из карбида кремния.

Параметры крышки камеры из карбида кремния

Основные характеристики покрытия CVD-SIC
Свойства SiC-CVD
Кристаллическая структура	FCC β-фаза
Плотность	г/см³	3.21
Твердость	Твердость по Виккерсу	2500
Размер зерна	мкм	2~10
Химическая чистота	%	99.99995
Теплоемкость	Дж кг-1 К-1	640
Температура сублимации	℃	2700
Фелексуральная сила	МПа (RT 4-точечный)	415
Модуль Юнга	Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃)	430
Тепловое расширение (CTE)	10-6К-1	4.5
Теплопроводность	(Вт/мК)	300