SiC вафельный патрон

В основе SiC Wafer Chuck лежит сложная смесь материалов, основа которого изготовлена ​​из графита и тщательно покрыта методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) SiC. Такое сочетание графита и SiC-покрытия не только обеспечивает исключительную долговечность и термическую стабильность, но также обеспечивает беспрецедентную устойчивость к агрессивным химическим средам, обеспечивая целостность хрупких полупроводниковых пластин на протяжении всего производственного процесса.

Зажим для пластин SiC обладает исключительной теплопроводностью, что способствует эффективному рассеиванию тепла в процессе производства полупроводников. Эта возможность сводит к минимуму температурные градиенты по поверхности пластины, обеспечивая равномерное распределение температуры, необходимое для достижения точных полупроводниковых свойств. Благодаря использованию CVD-покрытия SiC патрон для пластин SiC демонстрирует замечательную механическую прочность и жесткость, способную выдерживать сложные условия, возникающие во время обработки пластин. Такая надежность сводит к минимуму риск деформации или повреждения, обеспечивая целостность полупроводниковых пластин и максимизируя выход продукции.

Каждый патрон для пластин SiC подвергается тщательной прецизионной обработке, что гарантирует жесткие допуски и оптимальную плоскостность его поверхности. Эта точность имеет решающее значение для достижения равномерного контакта между патроном и полупроводниковой пластиной, обеспечения надежного зажима пластины и обеспечения стабильных результатов обработки.

Зажим для пластин SiC находит широкое применение в различных процессах производства полупроводников, включая эпитаксиальный рост, химическое осаждение из паровой фазы (CVD) и термическую обработку. Его универсальность и надежность делают его незаменимым для поддержки пластин SiC на критических этапах производства, что в конечном итоге способствует производству современных полупроводниковых устройств с беспрецедентной производительностью и надежностью.