Продукты
SiC вафельный носитель
  • SiC вафельный носительSiC вафельный носитель

SiC вафельный носитель

Semicorex SiC Wafer Carrier изготовлен из керамики на основе карбида кремния высокой чистоты с помощью технологии 3D-печати, что означает, что он позволяет получать высокоценные компоненты обработки в течение короткого времени. Компания Semicorex стремится поставлять качественную продукцию нашим клиентам по всему миру.*

Отправить запрос

Описание продукта

Semicorex SiC Wafer Carrier — это специализированное приспособление высокой чистоты, предназначенное для поддержки и транспортировки нескольких полупроводниковых пластин в экстремальных условиях термической и химической обработки. Semicorex производит эти лодочки для пластин нового поколения с использованием передовой технологии 3D-печати, обеспечивающей непревзойденную геометрическую точность и чистоту материала для самых требовательных рабочих процессов изготовления пластин.


Новое определение точности: 3D-печатьКарбид кремния высокой чистоты


Традиционные методы производства подложек, такие как механическая обработка или сборка из нескольких частей, часто сталкиваются с ограничениями в геометрической сложности и целостности соединений. Используя аддитивное производство (3D-печать), Semicorex производит держатели пластин SiC, которые обладают значительными техническими преимуществами:


Монолитная структурная целостность: 3D-печать позволяет создавать бесшовную цельную конструкцию. Это устраняет слабые места, связанные с традиционным склеиванием или сваркой, значительно снижая риск разрушения конструкции или выпадения частиц во время высокотемпературных циклов.

Сложная внутренняя геометрия: усовершенствованная 3D-печать позволяет оптимизировать конструкцию пазов и каналов для потока газа, чего невозможно достичь с помощью традиционной обработки с ЧПУ. Это повышает однородность технологического газа по поверхности пластины, напрямую улучшая стабильность партии.

Эффективность материала и высокая чистота: в нашем процессе используется порошок SiC высокой чистоты, в результате чего получается носитель с минимальным количеством следов металлических примесей. Это имеет решающее значение для предотвращения перекрестного загрязнения в чувствительных процессах диффузии, окисления и LPCVD (химического осаждения из паровой фазы при низком давлении).

High temperature field

Превосходная производительность в экстремальных условиях


Карбидно-керамические держатели Semicorex созданы для того, чтобы работать там, где не работают кварц и другая керамика. Внутренние свойствакарбид кремния высокой чистотыобеспечить прочную основу для современных операций по производству полупроводников:


1. Превосходная термическая стабильность

Карбид кремниясохраняет исключительную механическую прочность при температурах выше 1350°C. Низкий коэффициент теплового расширения (CTE) гарантирует, что пазы держателей остаются идеально выровненными даже во время фаз быстрого нагрева и охлаждения, предотвращая «гуляние» или защемление пластины, что может привести к дорогостоящей поломке.


2. Универсальная химическая стойкость.

От агрессивного плазменного травления до высокотемпературных кислотных ванн — наши носители SiC практически инертны. Они противостоят эрозии под действием фторированных газов и концентрированных кислот, гарантируя, что размеры пазов пластин остаются постоянными в течение сотен циклов. Такая долговечность приводит к значительно более низкой совокупной стоимости владения (TCO) по сравнению с кварцевыми альтернативами.


3. Высокая теплопроводность.

Высокая теплопроводность SiC обеспечивает равномерное распределение тепла по основе и эффективную передачу пластинам. Это сводит к минимуму температурные градиенты «от края к центру», что важно для достижения однородной толщины пленки и профилей легирующих примесей при серийной обработке.


Промышленные приложения


Держатели пластин Semicorex SiC являются золотым стандартом для высокопроизводительной пакетной обработки в:


Печи диффузии и окисления: обеспечение стабильной поддержки высокотемпературного легирования.

LPCVD/PECVD: обеспечение равномерного нанесения пленки на всю партию пластин.

Эпитаксия SiC: выдерживает экстремальные температуры, необходимые для выращивания широкозонных полупроводников.

Автоматизированное управление чистыми помещениями: разработано с точными интерфейсами для полной интеграции с автоматизацией FAB.

Горячие Теги: Карбидно-кремниевой вафельный носитель, Китай, Производители, Поставщики, Фабрика, Индивидуальные, Массовые, Передовые, Прочные
Связанная категория
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
X
Мы используем файлы cookie, чтобы предложить вам лучший опыт просмотра, анализировать трафик сайта и персонализировать контент. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов cookie. политика конфиденциальности
Отклонять Принимать