Вафельные лодочки из карбида кремния

Semicorex SiC Wafer Boat, изготовленный из керамики карбида кремния (SiC), лидирует в удовлетворении потребностей полупроводниковой промышленности, обеспечивая непревзойденную производительность в высокотемпературных средах. Поскольку полупроводниковая промышленность неустанно расширяет границы микропроизводства, спрос на устойчивые и прочные материалы становится первостепенным.

Лодочка для вафель SiC играет решающую роль в удержании и поддержке нескольких пластин во время термических процессов, таких как диффузия, окисление и химическое осаждение из паровой фазы (CVD). Эти процессы включают в себя воздействие на пластины чрезвычайно высоких температур, часто превышающих 1000°C, в контролируемой атмосфере. Однородность и последовательность этих термических обработок имеют решающее значение для обеспечения качества и производительности производимых полупроводниковых устройств. Способность SiC Wafer Boat выдерживать такие высокие температуры без деформации или разрушения обеспечивает равномерную обработку пластин, что приводит к превосходному выходу и производительности устройства.

Исключительная теплопроводность пластин SiC гарантирует равномерное распределение тепла по всем пластинам, сводя к минимуму риск температурных градиентов, которые могут привести к дефектам полупроводниковых устройств. Кроме того, низкий коэффициент теплового расширения (КТР) карбида кремния приводит к минимальному термическому расширению и сжатию во время циклов нагрева и охлаждения. Эта стабильность имеет решающее значение для предотвращения механического напряжения и потенциального повреждения пластин, особенно при усадочной геометрии устройств.

Во время термических процессов пластины подвергаются воздействию различных химически активных газов, которые могут взаимодействовать с материалами вафельного лодочки из SiC. Превосходная химическая стойкость SiC гарантирует, что он не вступит в реакцию с этими газами, предотвращая загрязнение и обеспечивая чистоту пластин. Это особенно важно при производстве современных полупроводниковых приборов, где даже незначительные количества загрязнений могут привести к дефектам и снизить надежность устройств.