Карбид кремния плавник

Semicorex SiC Fin — это высокопроизводительный компонент, изготовленный изкарбид кремния керамика, он предназначен для использования в системах эпитаксии и травления полупроводников. Ребро SiC, выполненное в виде круглой детали в форме диска с различными просверленными отверстиями разного диаметра, является важнейшим компонентом для создания структуры потока материалов и управления выхлопными газами или жидкими стоками во время высокотемпературной или плазменной обработки. Благодаря своим структурным характеристикам, превосходной коррозионной стойкости и высокой термической стабильности, плавники SiC имеют решающее значение для современного производства полупроводников.

SiC Fin изготовлен из высокочистогокарбид кремнияпорошка с использованием передовых процессов формования и спекания. Таким образом, он обладает превосходной механической прочностью и стабильностью в высоких термических и химических условиях. Уникальные физические свойства карбида кремния, такие как высокая твердость, низкое тепловое расширение и превосходная химическая инертность, позволяют плавнику быть структурным компонентом в среде высокотемпературной плазмы или реактивного газа, которые характерны для процессов EPI и травления.

Дисковая структура компонента с точно просверленными отверстиями позволяет контролировать потоки газов и жидкостей в технологических камерах. В зависимости от применения отверстия могут быть сконфигурированы для управления потоком побочных продуктов или дренажем для обеспечения чистой и стабильной среды во время процесса производства пластин. Например, при эпитаксии SiC Fin может способствовать направлению потоков технологических газов или конденсата, тем самым повышая однородность пленки и сводя к минимуму загрязнение частицами. В инструментах травления он эффективен для безопасного и эффективного удаления химически активных веществ и жидких побочных продуктов, защищая уязвимые компоненты камеры от химического разрушения.

Каждое ребро Semicorex SiC изготавливается с очень жесткими допусками и полируется для обеспечения превосходной плоскостности поверхности и точности размеров. Такая точность изготовления обеспечивает надежную работу при интеграции в сложные системы и сохранение стабильной функциональности в течение длительного периода эксплуатации. Ребро SiC совместимо со всеми конструкциями реакторов и может быть изготовлено по индивидуальному заказу по диаметру, толщине и схеме расположения отверстий в соответствии с потребностями заказчика. Semicorex может предложить индивидуальные конструкции для оптимизации производительности с учетом переменных процесса, таких как скорость потока, геометрия камеры и температура.

В дополнение к своей универсальной функциональности, плавник SiC обладает исключительной прочностью и долговечностью по сравнению с другими материалами. Он обладает высокой устойчивостью к окислению, плазменной эрозии и химической коррозии, что снижает частоту замены деталей и время простоя системы. Более того, теплопроводность карбида кремния позволяет рассеиванию тепла управлять температурными градиентами в устройстве, избегая нежелательного коробления или растрескивания во время быстрого температурного цикла.

Semicorex использует передовыекерамическийвозможности обработки и нанесения покрытия CVD для обеспечения высочайшей чистоты и однородности производимых ребер SiC. Каждое ребро SiC также проверяется на плотность, однородность микроструктуры и совершенство поверхности, чтобы убедиться, что оно соответствует строгим требованиям полупроводниковой промышленности. В результате получается компонент, обладающий механической целостностью и надежностью, обеспечивающий стабильную и длительную работу в экстремальных условиях.

Semicorex SiC Fin — это результат новейших материаловедческих и инженерных технологий. Он не только обеспечивает эффективные потоки выхлопа и жидкости, но и способствует чистоте и надежности всей системы эпитаксии и травления. Он сочетает в себе механическую прочность, термическую стабильность и устойчивость к коррозии, что обеспечивает более стабильную работу при обработке полупроводников.