Благодаря высококачественным свойствам материала, Semicorex SiC Diffusion Boat обеспечивает оптимальную функциональность по широкому спектру рабочих параметров: твердость, упругость, термическая и химическая стойкость и т. д. Выбор этого материала имеет решающее значение для снижения риска загрязнения, защиты пластин и долговечности. Сложные условия, присутствующие в процессах изготовления полупроводников. Мы в Semicorex занимаемся производством и поставкой высокопроизводительных SiC-диффузионных лодочек, которые сочетают качество с экономической эффективностью.**
Вот подробный обзор преимуществ SiC Diffusion Boat:
Структурная стабильность и термическая стойкость: Semicorex SiC Diffusion Boat обеспечивает исключительную термическую стабильность и целостность размеров при высоких температурах, что делает их очень выгодными для использования в высокотемпературной обработке и термообработке.
Превосходная устойчивость к коррозии: диффузионная лодка SiC демонстрирует выдающуюся устойчивость к коррозии, обеспечивая длительную работу в суровых химических и экологических условиях.
Материал высокой чистоты: Диффузионная лодочка SiC изготовлена из матрицы высокой чистоты и пленки карбида кремния, что эффективно предотвращает попадание примесей и снижает загрязнение в производственном процессе. Такая высокая чистота в значительной степени способствует повышению качества продукции.
Низкая плотность: SiC Diffusion Boat обладает относительно низкой плотностью по сравнению со многими другими материалами, что делает их легкими и удобными в обращении и обработке.
Универсальное применение: Диффузионная лодка SiC хорошо подходит для критически важных несущих компонентов в фотоэлектрическом и полупроводниковом оборудовании, особенно в процессах обработки пластин.
Использование в вертикальных печах для полупроводников: Диффузионная лодка Semicorex SiC в основном используется в вертикальных печах для полупроводников для процессов высокотемпературного окисления и отжига. Это приложение подчеркивает их решающую роль в облегчении этих конкретных процедур производства полупроводников.