Полупроводниковая вафельная лодка

Компания Semicorex предлагает лодочки для пластин, пьедесталы и специальные держатели пластин как для вертикальной/колонной, так и для горизонтальной конфигурации. Мы уже много лет являемся производителем и поставщиком пленок для покрытия из карбида кремния. Наши полупроводниковые вафельные лодки имеют хорошее ценовое преимущество и охватывают большую часть рынков Европы и Америки. Мы с нетерпением ждем возможности стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Отправить запрос

Описание продукта

Semicorex Semiconductor Wafer Boat изготовлен из спеченной керамики из карбида кремния, которая обладает хорошей устойчивостью к коррозии и отличной устойчивостью к высоким температурам и тепловому удару. Усовершенствованная керамика обеспечивает превосходную термостойкость и стойкость к плазме, одновременно уменьшая количество частиц и загрязнений для носителей пластин высокой емкости.
В Semicorex мы уделяем особое внимание предоставлению высококачественных и экономически эффективных полупроводниковых вафельных лодок, мы уделяем приоритетное внимание удовлетворению клиентов и предоставляем экономически эффективные решения. Мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером, предоставляющим высококачественную продукцию и исключительное обслуживание клиентов.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашей лодке для полупроводниковых пластин.

Параметры полупроводниковой вафельной лодки

Технические свойства
Индекс	Единица	Ценить
Название материала		Реакционно-спеченный карбид кремния	Спеченный карбид кремния без давления	Рекристаллизованный карбид кремния
Состав		РБСиК	ССиК	R-SiC
Объемная плотность	г/см3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
изгибная прочность	МПа (кпси)	338(49)	380(55)	80-90 (20°С) 90-100(1400°С)
Прочность на сжатие	МПа (кпси)	1120(158)	3970(560)	> 600
Твердость	Кнопка	2700	2800	/
Разрушение упорства	МПа м1/2	4.5	4	/
Теплопроводность	Вт/м.к	95	120	23
Коэффициент теплового расширения	10^-6.1/°С	5	4	4.7
Удельная теплоемкость	Джоуль/г 0к	0.8	0.67	/
Максимальная температура воздуха	℃	1200	1500	1600
Модуль упругости	средний балл	360	410	240

Разница между SSiC и RBSiC:

1. Процесс спекания отличается. RBSiC предназначен для внедрения свободного Si в карбид кремния при низкой температуре, SSiC образуется за счет естественной усадки при 2100 градусах.

2. SSiC имеет более гладкую поверхность, более высокую плотность и более высокую прочность. Для некоторых уплотнений с более строгими требованиями к поверхности SSiC будет лучше.

3. Разное время использования при разном pH и температуре, SSiC длиннее, чем RBSiC.

Особенности полупроводниковой вафельной лодки

Превосходная термостойкость и термическая однородность
Мелкое кристаллическое покрытие SiC для гладкой поверхности
Высокая стойкость к химической чистке.
Материал спроектирован таким образом, чтобы не возникало трещин и расслоений.