Полупроводниковая вафельная лодка

Semicorex предлагает вафельные лодочки, пьедесталы и нестандартные держатели вафель для вертикальных/столбчатых и горизонтальных конфигураций. Мы являемся производителями и поставщиками пленок для покрытия из карбида кремния в течение многих лет. Наша полупроводниковая вафельная лодка имеет хорошее ценовое преимущество и охватывает большинство европейских и американских рынков. Мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Отправить запрос

Описание продукта

Semicorex Semiconductor Wafer Boat изготовлена из спеченной керамики на основе карбида кремния, которая обладает хорошей коррозионной стойкостью и превосходной устойчивостью к высоким температурам и тепловому удару. Усовершенствованная керамика обеспечивает превосходную термостойкость и стойкость к плазме, а также уменьшает количество частиц и загрязняющих веществ для носителей пластин большой емкости.
В Semicorex мы сосредоточены на предоставлении высококачественных и экономичных полупроводниковых пластинчатых лодочек, мы уделяем первостепенное внимание удовлетворенности клиентов и предлагаем экономически эффективные решения. Мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером, поставляя высококачественную продукцию и исключительное обслуживание клиентов.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашей лодочке для полупроводниковых пластин.

Параметры полупроводниковой вафельной лодки

Технические характеристики
Индекс	Единица	Ценить
Название материала		Реакция спеченного карбида кремния	Спеченный карбид кремния без давления	Рекристаллизованный карбид кремния
Состав		РБСиК	SSiC	R-SiC
Объемная плотность	г/см3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Предел прочности при изгибе	МПа (кфунт/кв. дюйм)	338(49)	380(55)	80-90 (20°С)90-100(1400°С)
Прочность на сжатие	МПа (кфунт/кв. дюйм)	1120(158)	3970(560)	> 600
твердость	Кнуп	2700	2800	/
Нарушение упорства	МПа м1/2	4.5	4	/
Теплопроводность	Вт/м.к	95	120	23
Коэффициент температурного расширения	10^-6.1/°С	5	4	4.7
Удельная теплоемкость	Джоуль/г 0k	0.8	0.67	/
Максимальная температура воздуха	℃	1200	1500	1600
Модуль упругости	ГПа	360	410	240

Разница между SSiC и RBSiC:

1. Процесс спекания отличается. RBSiC предназначен для внедрения свободного Si в карбид кремния при низкой температуре, SSiC образуется путем естественной усадки при 2100 градусах.

2. SSiC имеет более гладкую поверхность, более высокую плотность и более высокую прочность, для некоторых уплотнений с более строгими требованиями к поверхности SSiC будет лучше.

3. Разное время использования при разном pH и температуре, SSiC длиннее, чем RBSiC.

Особенности полупроводниковой вафельной лодки

Превосходная термостойкость и тепловая однородность
Мелкие кристаллы SiC с покрытием для получения гладкой поверхности
Высокая стойкость к химической очистке
Материал разработан таким образом, чтобы не возникало трещин и расслаивания.