RTP/RTA SiC-носитель покрытия

Носитель покрытия Semicorex RTP/RTA SiC разработан таким образом, чтобы выдерживать самые жесткие условия среды осаждения. Благодаря высокой термостойкости и коррозионной стойкости этот продукт обеспечивает оптимальные характеристики эпитаксиального роста. Носитель с покрытием SiC обладает высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла, обеспечивая надежную работу при RTA, RTP или жесткой химической очистке.

Отправить запрос

Описание продукта

Наш носитель SiC-покрытия RTP/RTA для эпитаксиального выращивания MOCVD является идеальным решением для обработки пластин и обработки эпитаксиального выращивания. Благодаря гладкой поверхности и высокой стойкости к химической очистке этот продукт обеспечивает надежную работу в суровых условиях осаждения осадков.
Материал нашего носителя покрытия RTP/RTA SiC разработан таким образом, чтобы предотвратить образование трещин и расслоение, а превосходная термостойкость и термическая однородность обеспечивают стабильную производительность при RTA, RTP или жесткой химической очистке.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашем носителе покрытия RTP/RTA SiC.

Параметры носителя покрытия SiC RTP/RTA

Основные характеристики покрытия CVD-SIC
Свойства SiC-CVD
Кристаллическая структура	FCC β-фаза
Плотность	г/см³	3.21
Твердость	Твердость по Виккерсу	2500
Размер зерна	мкм	2~10
Химическая чистота	%	99.99995
Теплоемкость	Дж кг-1 К-1	640
Температура сублимации	℃	2700
Фелексуральная сила	МПа (RT 4-точечный)	415
Модуль Юнга	Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃)	430
Тепловое расширение (CTE)	10-6К-1	4.5
Теплопроводность	(Вт/мК)	300

Характеристики носителя покрытия SiC RTP/RTA

Графит высокой чистоты с покрытием SiC
Превосходная термостойкость и термическая однородность
Мелкое кристаллическое покрытие SiC для гладкой поверхности
Высокая стойкость к химической чистке.
Материал спроектирован таким образом, чтобы не возникало трещин и расслоений.