Носитель покрытия RTP/RTA SiC

Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier спроектирован так, чтобы выдерживать самые жесткие условия среды осаждения. Благодаря высокой термостойкости и коррозионной стойкости этот продукт предназначен для обеспечения оптимальных характеристик эпитаксиального роста. Носитель с покрытием SiC обладает высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла, обеспечивая надежную работу при RTA, RTP или жесткой химической очистке.

Отправить запрос

Описание продукта

Наш носитель покрытия SiC RTP/RTA для эпитаксиального роста MOCVD — идеальное решение для работы с пластинами и обработки эпитаксиального роста. Обладая гладкой поверхностью и высокой стойкостью к химической очистке, этот продукт обеспечивает надежную работу в суровых условиях осаждения.
Материал нашего носителя покрытия RTP/RTP SiC спроектирован таким образом, чтобы предотвратить появление трещин и расслоения, а превосходная термостойкость и термическая однородность обеспечивают стабильные характеристики при RTA, RTP или жесткой химической очистке.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашем носителе покрытия RTP/RTA SiC.

Параметры носителя покрытия RTP/RTA SiC

Основные характеристики покрытия CVD-SIC
SiC-ХОПФ свойства
Кристальная структура	Фаза FCC Î²
Плотность	г/см³	3.21
твердость	твердость по Виккерсу	2500
Размер зерна	Î¼ м	2~10
Химическая чистота	%	99.99995
Теплоемкость	Дж·кг-1 ·К-1	640
Температура сублимации	℃	2700
Фелексурная сила	МПа (4-балльная КТ)	415
Модуль Юнга	ГПа (изгиб 4pt, 1300°C)	430
Тепловое расширение (CTE)	10-6К-1	4.5
Теплопроводность	(Вт/мК)	300

Характеристики носителя покрытия RTP/RTA SiC

Графит высокой чистоты с покрытием SiC
Превосходная термостойкость и тепловая однородность
Мелкие кристаллы карбида кремния с покрытием для получения гладкой поверхности
Высокая устойчивость к химической очистке
Материал разработан таким образом, чтобы не возникало трещин и расслаивания.