> Новости

Новости

Эпитаксиальные слои: основа современных полупроводниковых устройств

В полупроводниковой промышленности эпитаксиальные слои играют решающую роль, образуя особые монокристаллические тонкие пленки на подложке пластины, известные под общим названием эпитаксиальные пластины. В частности, эпитаксиальные слои карбида кремния (SiC), выращенные на проводящих подложках SiC, п......

Пористый графит для выращивания кристаллов SiC

В настоящее время большинство производителей подложек SiC используют новую технологию термического поля тигля с цилиндрами из пористого графита: размещение исходных материалов из частиц SiC высокой чистоты между стенкой графитового тигля и цилиндром из пористого графита при одновременном углублении ......

Решающая роль эпитаксиальных слоев в полупроводниковых устройствах

Эпитаксиальный рост — это процесс выращивания кристаллографически упорядоченного монокристаллического слоя на подложке. Вообще говоря, эпитаксиальный рост предполагает выращивание кристаллического слоя на монокристаллической подложке, причем выращенный слой имеет ту же кристаллографическую ориентаци......

Зная GaN

В последнее время полупроводниковая промышленность продолжает уделять все большее внимание технологии нитрида галлия (GaN). Благодаря своим превосходным электронным свойствам устройства из нитрида галлия находят важное применение во многих областях высоких технологий:

Плазменные процессы при операциях CVD

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) относится к технологии процесса, при которой несколько газообразных реагентов при различных парциальных давлениях вступают в химическую реакцию при определенных условиях температуры и давления. Полученное твердое вещество осаждается на поверхности материала......

Рост и перспективы рынка силовых устройств из карбида кремния (SiC)

Поскольку глобальное признание электромобилей постепенно растет, карбид кремния (SiC) столкнется с новыми возможностями роста в предстоящем десятилетии. Ожидается, что производители силовых полупроводников и операторы автомобильной промышленности будут более активно участвовать в построении цепочки ......

<...22 23 24 25 26...37 >