> Новости

Новости

Краткая история карбида кремния и применение покрытий из карбида кремния

История карбида кремния (SiC) берет свое начало в 1891 году, когда Эдвард Гудрич Ачесон случайно обнаружил его при попытке синтезировать искусственные алмазы. Ачесон нагрел смесь глины (алюмосиликата) и порошкообразного кокса (углерода) в электрической печи. Вместо ожидаемых алмазов он получил ярко-......

Трудности получения GaN

Нитрид галлия как полупроводниковый материал третьего поколения часто сравнивают с карбидом кремния. Нитрид галлия по-прежнему демонстрирует свое превосходство благодаря большой запрещенной зоне, высокому напряжению пробоя, высокой теплопроводности, высокой скорости дрейфа насыщенных электронов и си......

Введение в полупроводники третьего поколения: GaN и связанные с ним эпитаксиальные технологии

Материалы GaN приобрели известность после присуждения Нобелевской премии по физике 2014 года за синие светодиоды. Первоначально привлекая внимание общественности благодаря приложениям быстрой зарядки в бытовой электронике, усилители мощности на основе GaN и радиочастотные устройства постепенно стали......

Подложка против эпитаксии: ключевые роли в производстве полупроводников

В области полупроводниковой техники и микроэлектроники концепции подложек и эпитаксии имеют важное значение. Они играют решающую роль в процессе производства полупроводниковых приборов. В этой статье будут рассмотрены различия между полупроводниковыми подложками и эпитаксией, описаны их определения......

Основные этапы обработки подложки SiC

Обработка подложки 4H-SiC в основном включает в себя следующие этапы:

Ключевые параметры подложек карбида кремния (SiC)

Процесс производства карбида кремния (SiC) включает в себя подготовку подложки и эпитаксию со стороны материалов, за которыми следуют проектирование и производство чипов, упаковка устройств и, наконец, распространение на последующих рынках приложений. Среди этих этапов обработка материала подложки я......

<...20 21 22 23 24...37 >