> Новости

Новости

GaN против SiC

В настоящее время исследуются несколько материалов, среди которых одним из наиболее перспективных является карбид кремния. Подобно GaN, он имеет более высокие рабочие напряжения, более высокие напряжения пробоя и превосходную проводимость по сравнению с кремнием. Более того, благодаря высокой теплоп......

Преимущества и недостатки применения нитрида галлия (GaN)

Поскольку мир ищет новые возможности в области полупроводников, нитрид галлия продолжает выделяться как потенциальный кандидат для будущих энергетических и радиочастотных применений. Однако, несмотря на все преимущества, которые он предлагает, он по-прежнему сталкивается с серьезной проблемой; издел......

Применение пластин оксида галлия

Оксид галлия (Ga2O3) стал многообещающим материалом для различных применений, особенно в силовых устройствах и радиочастотных (РЧ) устройствах. В этой статье мы исследуем ключевые возможности и целевые рынки для оксида галлия в этих областях.

Представляем оксид галлия (Ga2O3)

Оксид галлия (Ga2O3) как «полупроводниковый материал со сверхширокозонной зоной» привлекает постоянное внимание. Полупроводники со сверхширокой запрещенной зоной подпадают под категорию «полупроводников четвертого поколения», и по сравнению с полупроводниками третьего поколения, такими как карбид кр......

Что такое графитизация?

Графитирование - это процесс преобразования неграфитового древесного угля в графитовый уголь с графитовой трехмерной регулярной упорядоченной структурой путем высокотемпературной термообработки, в полной мере использующего тепло электрического сопротивления для нагрева древесного угля до 2300 ~ 3000......

Покрытие в тепловом поле полупроводниковых монокристаллов кремния

Детали с покрытием в горячем поле полупроводникового монокристалла кремния обычно наносятся методом CVD, включая покрытие из пиролитического углерода, покрытие из карбида кремния и покрытие из карбида тантала, каждое из которых имеет разные характеристики.

<...18 19 20 21 22...30 >