> Новости

Новости

Сложность подготовки подложек SiC.

В настоящее время важнейшим направлением развития подложек является расширение диаметра. Линия массового производства 6-дюймовых экранов на мировом рынке SiC развивается, и ведущие компании вышли на рынок 8-дюймовых устройств.

Подложка из карбида кремния

Процесс изготовления подложки из карбида кремния сложен и труден в изготовлении. Подложка SiC занимает основную часть отраслевой цепочки, составляя 47%. Ожидается, что с расширением производственных мощностей и повышением урожайности в будущем ожидается снижение до 30%.

Понимание технологии сухого травления в полупроводниковой промышленности

В настоящее время во многих полупроводниковых устройствах используются меза-структуры устройств, которые преимущественно создаются с помощью двух типов травления: мокрого травления и сухого травления. Хотя простое и быстрое мокрое травление играет важную роль в изготовлении полупроводниковых приборо......

Преимущества керамики из карбида кремния в волоконно-оптической промышленности

Керамика из карбида кремния обладает многочисленными преимуществами в производстве оптических волокон, включая высокотемпературную стабильность, низкий коэффициент теплового расширения, низкий порог потерь и повреждений, механическую прочность, коррозионную стойкость, хорошую теплопроводность и низк......

Введение в силовые устройства из карбида кремния

Силовые устройства из карбида кремния (SiC) представляют собой полупроводниковые устройства, изготовленные из карбидокремниевых материалов, которые в основном используются в высокочастотных, высокотемпературных, высоковольтных и мощных электронных устройствах. По сравнению с традиционными силовыми у......

Технология эпитаксии пластин карбида кремния

В карбиде кремния обычно используется метод PVT с температурой более 2000 градусов, длительным циклом обработки и низкой производительностью, поэтому стоимость подложек из карбида кремния очень высока.

<...19 20 21 22 23...37 >