> Новости

Новости

Представляем основную технологию графитовой лодки

Компания Graphite Boat находится в авангарде технологических инноваций в своей отрасли, предлагая набор новаторских достижений, призванных повысить производительность, чистоту и срок службы. Ниже мы углубимся в основные технологии, которые определяют превосходство графитовых лодок:

Пористый графит для выращивания высококачественных кристаллов SiC методом PVT

Карбид кремния (SiC) стал ключевым материалом в области полупроводниковых технологий, предлагая исключительные свойства, которые делают его весьма желательным для различных электронных и оптоэлектронных приложений. Производство высококачественных монокристаллов SiC имеет решающее значение для расшир......

3 метода формования графита

Четыре основных метода формования графита: экструзионное формование, формование, вибрационное формование и изостатическое формование. Большинство распространенных на рынке углеродно-графитовых материалов формуются методом горячей экструзии и формования (холодного или горячего), а изостатическое форм......

Что такое изостатический графит?

Специальный графит — это графит с массовой долей углерода более 99,99%, также известный как «три высоких графита» (высокая прочность, высокая плотность, высокая чистота). Он характеризуется высокой прочностью, высокой плотностью, высокой чистотой, высокой химической стабильностью, высокой теплопрово......

Представляем физический перенос паров (PVT)

Собственные характеристики SiC определяют, что выращивание его монокристаллов сложнее. Из-за отсутствия жидкой фазы Si:C=1:1 при атмосферном давлении более зрелый процесс выращивания, принятый в основной отрасли полупроводниковой промышленности, не может использоваться для выращивания более зрелого ......

Выпущены эпитаксиальные продукты GaN HEMT высокой мощности 850 В

В ноябре 2023 года компания Semicorex выпустила эпитаксиальные продукты GaN-on-Si с напряжением 850 В для высоковольтных и сильноточных силовых устройств HEMT. По сравнению с другими подложками для силовых устройств HMET, GaN-on-Si обеспечивает большие размеры пластин и более разнообразные применени......

<...19 20 21 22 23...30 >