Нитрид галлия (GaN) — важный материал в полупроводниковой технике, известный своими исключительными электронными и оптическими свойствами. GaN, как широкозонный полупроводник, имеет энергию запрещенной зоны примерно 3,4 эВ, что делает его идеальным для мощных и высокочастотных приложений.
Читать далееКарбид кремния (SiC), известная конструкционная керамика, известна своими исключительными свойствами, включая жаропрочность, твердость, модуль упругости, износостойкость, теплопроводность и коррозионную стойкость. Эти свойства делают его пригодным для широкого спектра применений: от традиционного пр......
Читать далееПечи для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) являются краеугольным камнем производства пластин SiC. Имея сходство с традиционными печами для выращивания кристаллов кремния, печи SiC сталкиваются с уникальными проблемами из-за экстремальных условий выращивания материала и сложных механизмов ......
Читать далееГрафит жизненно важен для производства полупроводников из карбида кремния (SiC), известных своими исключительными тепловыми и электрическими свойствами. Это делает SiC идеальным для мощных, высокотемпературных и высокочастотных приложений. В производстве полупроводников SiC графит обычно используетс......
Читать далееКварц высокой чистоты обладает замечательными физическими и химическими свойствами. Присущая ему кристаллическая структура, форма и вариации решетки способствуют исключительным характеристикам, таким как устойчивость к высоким температурам, коррозионная стойкость, стойкость к истиранию, низкий коэфф......
Читать далее