Выращивание кристаллов является основным звеном в производстве подложек из карбида кремния, а основным оборудованием является печь для выращивания кристаллов. Подобно традиционным печам для выращивания кристаллов кристаллического кремния, конструкция печи не очень сложна и в основном состоит из корп......
Читать далееПолупроводниковые материалы третьего поколения с широкой запрещенной зоной, такие как нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), известны своими исключительными возможностями оптоэлектронного преобразования и передачи микроволновых сигналов. Эти материалы отвечают строгим требованиям высокочастотны......
Читать далееКарбид кремния находит широкое применение в развивающихся и традиционных отраслях. В настоящее время мировой рынок полупроводников превысил 100 миллиардов юаней. Ожидается, что к 2025 году мировые продажи материалов для производства полупроводников достигнут 39,5 миллиардов долларов США, из которых ......
Читать далееЛодочка из карбида кремния (сокращение от «лодочка из карбида кремния») представляет собой устойчивый к высоким температурам аксессуар, используемый в трубах печей для транспортировки пластин во время высокотемпературной обработки. Благодаря выдающимся свойствам карбида кремния, таким как стойкость ......
Читать далееВ традиционном производстве кремниевых силовых устройств высокотемпературная диффузия и ионная имплантация являются основными методами контроля примесей, каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки. Как правило, высокотемпературная диффузия характеризуется простотой, экономичностью, изотр......
Читать далее