AlN, как полупроводниковый материал третьего поколения, является не только важным материалом для синего и ультрафиолетового света, но также важным материалом для упаковки, диэлектрической изоляции и изоляции для электронных устройств и интегральных схем, особенно подходящим для высокотемпературных и......
Читать далееТретье поколение полупроводниковых материалов AlN относится к полупроводникам с прямой запрещенной зоной, его ширина полосы составляет 6,2 эВ, высокая теплопроводность, удельное сопротивление, напряженность поля пробоя, а также отличная химическая и термическая стабильность, это не только важные мат......
Читать далееРазработка мощных синих и УФ-светодиодов позволила создать полноцветные светодиодные телевизионные дисплеи, а также белые светодиоды для автомобильного и бытового освещения. Эти светодиоды основаны на нитриде галлия, который наносится на пластины-подложки, поддерживаемые графитовым токоприемником с ......
Читать далее