Новости - Semicorex Advanced Material Technology Co., Ltd

Сухое травление против влажного травления

В производстве полупроводников травление является одним из основных этапов наряду с фотолитографией и осаждением тонких пленок. Он включает удаление нежелательных материалов с поверхности пластины химическими или физическими методами. Этот этап выполняется после нанесения покрытия, фотолитографии и ......

Дислокации в кристаллах SiC

Подложка SiC может иметь микроскопические дефекты, такие как дислокация резьбового винта (TSD), дислокация края резьбы (TED), дислокация базовой плоскости (BPD) и другие. Эти дефекты вызваны отклонениями в расположении атомов на атомном уровне.

О дефектах кристаллов SiC - Micropipe

Подложка SiC может иметь микроскопические дефекты, такие как дислокация резьбового винта (TSD), дислокация края резьбы (TED), дислокация базовой плоскости (BPD) и другие. Эти дефекты вызваны отклонениями в расположении атомов на атомном уровне. Кристаллы SiC также могут иметь макроскопические дислок......

Почему стоит выбрать метод жидкофазной эпитаксии?

По сравнению с методом PVT жидкофазный метод выращивания SiC имеет следующие преимущества:

Что такое жидкофазная эпитаксия?

Жидкофазный метод ближе к условиям термодинамического равновесия и позволяет выращивать кристаллы SiC лучшего качества.

TaC-покрытие

Согласно результатам исследований, покрытие TaC может действовать как защитный и изолирующий слой, продлевая срок службы графитовых компонентов, улучшая радиальную однородность температуры, поддерживая стехиометрию сублимации SiC, подавляя миграцию примесей и снижая потребление энергии. В конечном и......