> Новости

Новости

Процесс резки и шлифования подложки

Материал подложки SiC является основой чипа SiC. Процесс производства подложки заключается в следующем: после получения слитка кристалла SiC путем выращивания монокристалла; затем подготовка подложки SiC требует сглаживания, закругления, резки, шлифовки (утонения); механическая полировка, химико-мех......

Первая компания по производству 6-дюймовых подложек из оксида галлия.

Недавно наша компания объявила, что компания успешно разработала 6-дюймовый монокристалл оксида галлия методом литья, став первой отечественной промышленной компанией, освоившей технологию подготовки подложки из 6-дюймового монокристалла оксида галлия.

Различия между кристаллами SiC разной структуры

Карбид кремния (SiC) — это материал, обладающий исключительной термической, физической и химической стабильностью, демонстрирующий свойства, превосходящие свойства обычных материалов. Его теплопроводность составляет удивительные 84 Вт/(м·К), что не только выше, чем у меди, но и в три раза выше, чем ......

Что такое покрытие TaC на графите?

В быстро развивающейся области производства полупроводников даже самые незначительные улучшения могут иметь большое значение для достижения оптимальной производительности, долговечности и эффективности. Одним из достижений, которое вызвало много шума в отрасли, является использование покрытия TaC (к......

Теплоизоляционный материал

Процесс роста монокристаллического кремния преимущественно происходит в тепловом поле, где качество тепловой среды существенно влияет на качество кристаллов и эффективность роста. Конструкция теплового поля играет решающую роль в формировании температурных градиентов и динамики газового потока внутр......

Что такое графитовый токоприемник с покрытием SiC?

Чтобы представить графитовый токоприемник с покрытием SiC, важно понять его применение. При изготовлении устройств на некоторых подложках пластин необходимо создавать дополнительные эпитаксиальные слои.

<...24 25 26 27 28...37 >