> Новости

Новости

SiC-лодочки против кварцевых: текущее использование и будущие тенденции в производстве полупроводников

В этой статье мы углубимся в использование и будущую траекторию развития «лодочек» из карбида кремния (SiC) по отношению к кварцевым «лодочкам» в полупроводниковой промышленности, уделяя особое внимание их применению в производстве солнечных батарей.

Резка карбида кремния

Карбид кремния (SiC) пользуется большим спросом в полупроводниковой промышленности благодаря своим превосходным физическим и химическим свойствам. Однако высокая твердость и хрупкость SiC создают значительные проблемы при его обработке.

Эпитаксиальные пластины нитрида галлия: введение в процесс изготовления

Эпитаксиальный рост пластин нитрида галлия (GaN) представляет собой сложный процесс, часто использующий двухэтапный метод. Этот метод включает в себя несколько важных стадий, включая высокотемпературный обжиг, рост буферного слоя, рекристаллизацию и отжиг. Благодаря тщательному контролю температуры ......

В чем разница между эпитаксиальными и диффузными пластинами

Как эпитаксиальные, так и диффузные пластины являются важными материалами в производстве полупроводников, но они существенно различаются по процессам изготовления и целевому применению. В этой статье рассматриваются ключевые различия между этими типами пластин.

Основная схема процесса изготовления подложки из карбида кремния

Подложка из карбида кремния представляет собой сложный полупроводниковый монокристаллический материал, состоящий из двух элементов: углерода и кремния. Он обладает характеристиками большой запрещенной зоны, высокой теплопроводности, высокой критической напряженности поля пробоя и высокой скорости др......

Критическая роль подложек SiC и выращивания кристаллов в полупроводниковой промышленности

В отраслевой цепочке карбида кремния (SiC) поставщики подложек обладают значительными рычагами влияния, в первую очередь за счет распределения стоимости. Подложки SiC составляют 47% от общей стоимости, за ними следуют эпитаксиальные слои — 23%, а проектирование и производство устройств составляют ос......

<...24 25 26 27 28...47 >